硅纳米线的制备及其光学性能的研究

发布时间：2017-08-14 01:04

  本文关键词：硅纳米线的制备及其光学性能的研究

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【摘要】：通过金属催化化学刻蚀的方法中的两步法制备出了具有阵列结构的硅纳米线,研究了不同刻蚀条件对硅纳米线形貌的影响,分析了形成不同形貌的原因。测定了不同条件下制备的硅纳米线的光吸收性能,总结了影响光吸收性能的因素和原因,根据硅纳米线的光吸收图求出了硅纳米线的禁带宽度,说明了硅纳米线已经具备不同于硅片的性能。
【作者单位】： 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院;
【关键词】： 硅纳米线 金属催化化学刻蚀法 光吸收
【分类号】：O471.1;TB383.1
【正文快照】： 1引言硅纳米线相对于体硅带隙宽度增加,属于间接带隙半导体。由于硅纳米线的直径较小,使量子限制效应、非定域量子相干效应及非线性光学效应等表现的较为明显,使得它与体硅具有不同的性质。硅纳米线具有高表面活性、电子运输特性、场发射性能、光学性能[1-6],在纳米传感器[7,8

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本文编号：669902