h-BN薄膜表面PMMA残留去除研究

发布时间：2017-08-15 01:05

  本文关键词：h-BN薄膜表面PMMA残留去除研究

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【摘要】：化学气相沉积法(CVD)制备的六方氮化硼薄膜(h-BN)的清洁转移一直备受关注,h-BN从生长基底向其它目标基底转移过程中会引入PMMA残留物,影响h-BN薄膜的性质和应用.为研究PMMA残留物的去除,首先采用低压化学气相淀积法制备了h-BN薄膜并转移至基底表面,然后分别采用丙酮溶解、还原热处理、氧化热处理的方法去除h-BN薄膜转移过程中PMMA残留物.研究结果发现,丙酮溶解和还原热处理都不能有效去除PMMA残留,长时间的氧化热处理可以彻底去除PMMA残留.
【作者单位】： 杭州电子科技大学材料物理研究所;
【关键词】： 六方氮化硼 转移 PMMA 残留物
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61106100) 浙江省自然科学基金资助项目(LY16E02008)
【分类号】：TQ128;TB383.2
【正文快照】： 0引言六方氮化硼(h-BN)薄膜是一种二维介电材料,禁带宽度为6.07ev[1],具有高热导率,高机械强度,高电阻和良好的化学惰性等性能,用于热界面材料、保护涂层和纳米电子介质和深紫外光电器件等领域[2].此外,由h-BN与石墨烯制备的异质结能够储存电子能量和动量,可制作精细红外探测

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本文编号：675541