低介电常数聚酰亚胺基多孔复合材料的研究进展

发布时间：2017-08-16 10:06

  本文关键词：低介电常数聚酰亚胺基多孔复合材料的研究进展

  更多相关文章： 介电常数 聚酰亚胺 多孔 层间绝缘材料

【摘要】：随着微电子工业的迅速发展,对层间绝缘材料提出了更高的要求。聚酰亚胺因其良好的热稳定性和较低的介电常数被广泛应用于大规模集成电路的层间绝缘材料。本文主要对低介电常数聚酰亚胺基复合材料的制备方法进行了综述,着重介绍了笼型倍半硅氧烷(POSS)、多孔SiO_2、蒙脱石、多金属氧酸盐(POMs)、石墨烯衍生物的引入在降低聚酰亚胺介电常数方面的应用,并对低介电常数聚酰亚胺的发展前景进行了展望。
【作者单位】： 大连理工大学建设工程学部;
【关键词】： 介电常数 聚酰亚胺 多孔 层间绝缘材料
【分类号】：TB33
【正文快照】： 1引言在集成电路工艺中,二氧化硅(SiO2)材料因其极好的热稳定性和低吸湿性一直是金属互联线路间使用的主要层间绝缘材料[1]。然而,随着超大规模集成电路(ULSI)的不断发展,要求芯片的尺寸越来越小,芯片中信号传输的延迟时间也相应增加,这种延迟时间与金属层间绝缘材料的介电常

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前8条

1 何志巍;;低介电常数硅基薄膜后处理的研究进展[J];绝缘材料;2010年03期

2 黄伟平;曾钫;赵建青;吴水珠;李树辉;;低介电常数高分子材料[J];合成材料老化与应用;2008年02期

3 谭麟;赵建青;曾钫;刘述梅;;低介电常数聚酰亚胺制备的研究进展[J];石油化工;2008年07期

4 丁士进,张卫,王鹏飞,张剑云,刘志杰,王季陶;低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究[J];功能材料;2000年05期

5 胡一帆;章瑛;付丹蓉;;低介电常数甲基倍半硅氧烷多孔膜的制备及表征[J];华中科技大学学报(自然科学版);2008年02期

6 闫继红;宁兆元;;低介电常数材料和氟化非晶碳薄膜的研究进展[J];材料导报;2005年06期

7 王娟,张长瑞,冯坚;实验条件对纳米多孔二氧化硅薄膜性能的影响[J];国防科技大学学报;2005年03期

8 ;[J];;年期

中国重要会议论文全文数据库 前6条

1 张卫;王鹏飞;张庆全;丁士进;王季陶;;等离子体化学气相淀积新型低介电常数SiCOF介质薄膜[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年

2 刘晓丽;杨海霞;杨士勇;;低介电常数聚酰亚胺复合材料的制备及性能研究[A];2013年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题L：高性能树脂[C];2013年

3 叶超;宁兆元;王婷婷;俞笑竹;;DMCPS电子回旋共振等离子体沉积SiCOH低介电常数薄膜研究[A];中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议论文摘要集[C];2004年

4 冯坚;张长瑞;王娟;杨大祥;;低介电常数纳米多孔氧化硅薄膜[A];纳米材料和技术应用进展——全国第三届纳米材料和技术应用会议论文集（下卷）[C];2003年

5 王娟;张长瑞;冯坚;;低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备研究[A];全国第三届溶胶—凝胶科学技术学术会议论文摘要集[C];2004年

6 杨扬;赵超越;陈桥;吴刚;;具有“三明治”结构的超低介电膜[A];2011年全国高分子学术论文报告会论文摘要集[C];2011年

中国硕士学位论文全文数据库 前5条

1 张国权;多孔低介电常数氧化硅陶瓷材料的制备[D];浙江大学;2008年

2 贾红娟;低介电常数聚酰亚胺薄膜制备与性能研究[D];北京化工大学;2011年

3 章瑛;多孔低介电常数甲基硅倍半氧烷薄膜的制备及性能研究[D];华中科技大学;2007年

4 付爽;多孔SiCOH低介电常数材料薄膜的制备与性能表征[D];复旦大学;2011年

5 刘德才;溶胶凝胶法制备耐高温多孔低介电常数材料与性能测试[D];华中科技大学;2008年

，

本文编号：682660