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三维花状氧化锌基异质结光催化抗菌材料的合成及其光催化性质研究

发布时间:2017-08-18 15:42

  本文关键词:三维花状氧化锌基异质结光催化抗菌材料的合成及其光催化性质研究


  更多相关文章: 氧化锌基光催化剂 离子掺杂 Ag_2S 半导体复合 光催化抗菌 异质结构


【摘要】:在光催化领域,半导体ZnO具有与传统光催化剂Ti02相似的能带结构和光催化机理。在对ZnO光催化剂的合成及应用研究过程中,其禁带宽度大、电荷复合效率高以及光腐蚀现象严重的问题一直是制约ZnO光催化剂推广应用的重要原因。作者在本文绪论部分对影响光催化剂催化活性的因素以及提高半导体材料光催化活性的方法进行了综述。本文研究的重点是通过形貌调控、离子掺杂、表面贵金属沉积和半导体复合等方式提高ZnO半导体的光催化活性,将其光响应范围拓展至可见光区,所得系列异质结构微纳米复合材料在催化降解有机染料和催化抗菌实验中表现出理想的可见光催化活性。具体的研究内容如下:1.微波辅助合成表面银修饰的镍掺杂氧化锌(Zn1-xNixO@Ag)花状微球结构及其可见光催化性能研究通过微波辅助一步法合成了Zn1-xNixO纳米棒自组装花状微球结构。Zn1-xNixO半导体的光催化活性通过在可见光照射下有机染料罗丹明B (RhB)的催化降解速率进行衡量。反应中通过调整镍离子前驱体加入量考察掺杂浓度的变化对Zn1-xNixO样品光催化活性的影响,进而得出Ni2+的最佳的掺杂比例,即当掺杂浓度为0.5 mo1%时,半导体光催化剂表现出最佳的光催化活性。选用Zn0.995Ni0.005O样品作为基材,通过第二步微波辅助反应将Ag纳米粒子沉积到Zn0.995Ni0.005O纳米棒的表面形成一种新颖的Zn0.995Ni0.00sO@Ag (ZNO@Ag)的异质结构。通过SEM,HRTEM,XRD和EDS mapping的表征手段可以证明Ag纳米粒子均匀的沉积在Zn0.995Ni0.005O纳米棒的表面。与相同条件下制备得到的纯ZnO和Zn0.995Ni0.005O样品进行对比,ZNO@Ag光催化剂表现出了更加优异的光催化抗菌活性。文章对ZNO@Ag样品光催化抗菌活性提高的机理进行了讨论。2.ZnO@Ag2S异质结构光催化剂的微波辅助合成及其光催化抗菌活性利用微波辅助合成的ZnO微米花状结构半导体为基材,以Na2S·10H2O和AgNO3为前驱物,在微波辅助条件下利用一步离子交换反应合成了ZnO@Ag2S异质结构的光催化剂。实验发现,如果改变复合体系中Ag2S的沉积量,复合催化剂在可见光催化降解RhB的实验中所表现出了催化活性也会有所变化,其中最佳的沉积比为6 mol%。在利用平板涂布技术检测复合材料可见光下对枯草杆菌的光催化抗菌实验中,我们发现,ZnO@Ag2S光催化剂表现出高的抑菌活性。该复合体系在紫外可见吸收光谱中展现出来的可见光吸收响应以及在瞬态光电流测试中表现出来的高的光生电荷分离效率都可以用来解释Ag2S@ZnO复合体系的高催化活性。同时,在光催化抗菌过程中利用牺牲剂(溴酸钾和叔丁醇)也对起关键作用的氧自由基的种类进行了确认,并对其光催化抗菌机理进行了详细讨论。
【关键词】:氧化锌基光催化剂 离子掺杂 Ag_2S 半导体复合 光催化抗菌 异质结构
【学位授予单位】:浙江师范大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:O643.36;O644.1;TB34
【目录】:
  • 摘要4-6
  • ABSTRACT6-10
  • 第一章 绪论10-22
  • 1.1 引言10-11
  • 1.2 光催化反应的基本原理11-12
  • 1.3 氧化锌基半导体光催化剂12-13
  • 1.4 影响氧化锌半导体光催化活性的因素13-16
  • 1.4.1 禁带宽度的影响13-14
  • 1.4.2 形貌的影响14-15
  • 1.4.3 晶体结构的影响15-16
  • 1.5 光催化剂改性的方法16-20
  • 1.5.1 形貌调控16
  • 1.5.2 离子掺杂16-18
  • 1.5.3 贵金属沉积18-19
  • 1.5.4 半导体复合19-20
  • 1.6 选题依据和研究内容20-22
  • 第二章 实验材料与光催化剂的表征22-28
  • 2.1 实验材料22-23
  • 2.1.1 实验所用试剂22
  • 2.1.2 实验仪器22-23
  • 2.2 光催化剂的制备23
  • 2.3 光催化剂的表征23-25
  • 2.3.1 X-射线粉末衍射仪23-24
  • 2.3.2 场扫描电子显微镜24
  • 2.3.3 透射电子显微镜24
  • 2.3.4 紫外-可见吸收光谱仪24
  • 2.3.5 光电子能谱仪24-25
  • 2.3.6 瞬态响应光电流25
  • 2.4 光催化降解染料实验25
  • 2.5 光催化抗菌实验25-28
  • 2.5.1 培养基的配置25-26
  • 2.5.2 细菌培养26
  • 2.5.3 平板涂布实验26
  • 2.5.4 最小抑菌浓度(MIC)26-28
  • 第三章 微波辅助合成Zn_(1-x)Ni_xO@Ag花状复合结构及其光催化性能研究28-38
  • 3.1 引言28-29
  • 3.2 实验部分29-31
  • 3.2.1 实验材料29
  • 3.2.2 Zn_(1-x)Ni_xO微球的制备29-30
  • 3.2.3 ZNO@Ag光催化剂半导体的制备30
  • 3.2.4 样品的表征30
  • 3.2.5 光催化降解染料实验30
  • 3.2.6 光催化抗菌实验30-31
  • 3.3 结果与讨论31-37
  • 3.3.1 花状Zn_(1-x)Ni_xO微球的物相和形貌分析31-32
  • 3.3.2 Zn_(1-x)Ni_xO紫外-可见吸收光谱及光催化降解RhB实验32-33
  • 3.3.3 ZNO@Ag复合光催化剂的形貌和物相分析33-34
  • 3.3.4 ZNO@Ag可见光催化抗菌活性34-35
  • 3.3.5 MIC实验检测35-36
  • 3.3.6 瞬态光电流实验及光催化抗菌机理36-37
  • 3.4 结论37-38
  • 第四章 ZnO@Ag_2S异质结构微波辅助合成及其光催化抗菌活性38-54
  • 4.1 引言38-39
  • 4.2 实验部分39-41
  • 4.2.1 实验材料39
  • 4.2.2 ZnO@Ag_2S复合光催化剂和制备39-40
  • 4.2.3 物相及形貌表征40
  • 4.2.4 光降解罗丹明B染料40
  • 4.2.5 光催化抗菌实验40
  • 4.2.6 光催化抗菌实验中活性基团的测试40-41
  • 4.3 结果与讨论41-51
  • 4.3.1 ZnO@Ag_2S异质结构形貌表征41-42
  • 4.3.2 ZnO@Ag_2S的HRTEM表征42-43
  • 4.3.3 ZnO@Ag_2S光催化剂的XRD和XPS分析43-44
  • 4.3.4 ZnO@Ag_2S光催化剂光电性质表征44-45
  • 4.3.5 ZnO@Ag_2S光催化剂可见光降解RhB45-46
  • 4.3.6 ZnO@Ag_2S光催化剂可见光抗菌活性46-48
  • 4.3.7 光催化抗菌过程中氧自由基的确定48-50
  • 4.3.8 ZnO@Ag_2S光催化剂MIC值测试及抗菌机理50-51
  • 4.4 结论51-54
  • 总结与展望54-56
  • 参考文献56-66
  • 致谢66-67
  • 攻读学位期间取得的研究成果67-69

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