银纳米线与二氧化硅衬底表面摩擦力的测量

发布时间：2017-08-21 21:07

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【摘要】：银纳米线是制作纳米光电子器件的理想材料,了解银纳米线与特定衬底间的摩擦特性对于器件的设计和制备工艺具有重要参考价值。本文利用原子力显微镜(AFM)研究银纳米线与二氧化硅衬底表面的摩擦特性,为提高摩擦力测量准确性,依次借助斜面法和横向力曲线分别标定了AFM探针的扭转弹性常数和光杠杆横向灵敏度,同时对扫描器引入的横向误差进行了补偿。利用AFM纳米操纵技术记录了单根银纳米线由静止到整体滑动的全过程,实验测得直径50 nm银纳米线与二氧化硅衬底表面的最大静摩擦线密度和滑动摩擦线密度分别为1.07n N/nm和0.56 n N/nm。
【作者单位】： 天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室;
【关键词】： 原子力显微镜 银纳米线 摩擦 纳米操纵 标定
【基金】：国家自然科学基金资助项目(No.61204117) 国家863计划项目(No.2012AA041204)
【分类号】：TB383.1
【正文快照】： 银纳米线是一种形状规则,易于合成的典型一维材料,因其具有优异的导电、导热、透光等特性,被认为是制作透明导电薄膜和构建纳米电子器件的理想功能单元[1-6]。银纳米线与衬底表面尤其是微电子工艺常用的二氧化硅衬底表面的相互作用,对器件结构的稳定性和器件功能有直接影响。

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本文编号：715113