一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展

发布时间：2017-08-31 17:18

  本文关键词：一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展

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【摘要】：一维GaN纳米材料相对于薄膜材料在光电器件应用方面具有诸多优势,本文主要论述一维GaN纳米材料的主要制备方法及其光电器件应用的研究进展。首先分别介绍采用MOCVD、MBE、CVD及模板法制备一维GaN纳米材料,重点论述GaN纳米材料的结构与形貌调控。其次介绍一维GaN纳米材料分别应用于主要光电器件包括LED、太阳能电池、激光器及光探测器的研究动态,讨论纳米材料性能、结构以及制备技术对其器件性能的影响。最后对一维GaN纳米材料的发展与应用前景进行展望。
【作者单位】： 天津理工大学显示材料与光电器件教育部重点实验室天津市光电显示材料与器件重点实验室材料科学与工程学院材料物理所;
【关键词】： GaN 纳米线 CVD法 LED 光探测器
【基金】：天津市高等学校科技发展基金计划资助项目(20140301) 天津市“131”创新型人才培养工程资助项目(401008002) 天津理工大学大学生创新训练计划资助项目(X2015001);天津理工大学学生科技基金资助项目
【分类号】：TQ133.51;TB383.1
【正文快照】： 0引言一维GaN纳米材料是纳米技术应用领域最具发展潜力的材料之一,它具有直接带隙、较大的禁带宽度(室温下Eg=3.39eV)[1-2]、高的电子迁移率[3-5]、和很好的热学稳定性[6-7],在紫外光或蓝光发射器、探测器、高速场效应晶体管以及高温微电子器件方面有很好的应用前景[8-13]。首

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本文编号：766872