低维半导体纳米材料及其异质结构的第一性原理研究
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低维半导体纳米材料及其异质结构的第一性原理研究
论文目录
中文摘要第1-12页
ABSTRACT第12-15页
第一章 绪论第15-29页
·纳米材料概述第15-18页
·低维纳米材料分类第16-18页
·低维纳米材料实验制备简介第18页
·低维纳米材料研究现状与进展第18-22页
·选题意义及亟待解决的问题第22-23页
·论文结构第23-24页
参考文献第24-29页
第二章 理论方法第29-43页
·第一性计算方法的基本原理第29-34页
·从头计算方法的三个基本近似第30-31页
·Hartree-Fock近似第31-34页
·密度泛函理论第34-40页
·Hohenberg-Kohn定理第34-36页
·Kohn-Sham方程第36-37页
·交换相关泛函第37-40页
·赝势方法第40页
·程序包简介第40-42页
·SIESTA软件包第40-41页
·VASP软件包第41-42页
参考文献第42-43页
第三章 SiC多面单晶纳米线和多壁纳米管的第一性原理研究第43-59页
·前言第43-44页
·理论细节第44-45页
·SiC纳米线和多壁纳米管的能量演化与电子结构特性第45-55页
·本章小结第55-56页
参考文献第56-59页
第四章 单晶3C-SiC纳米线的第一性原理研究第59-71页
·前言第59-60页
·理论细节第60-61页
·不同生长方向的单晶3C-SiC纳米线稳定性研究第61-68页
·本章小结第68-69页
参考文献第69-71页
第五章 ZnO/GaN-core/shell异质结纳米线的第一性原理研究第71-83页
·前言第71-72页
·理论细节第72-73页
·ZnO/GaN-core/shell异质结纳米线结构与电子特性第73-79页
·本章小结第79-80页
参考文献第80-83页
第六章 ZnO/GaN和ZnO/(Ga_(1-x)Zn_x)(N_(1-x)O_x)/GaN异质结构能带带阶的第一性原理研究第83-97页
·前言第83-85页
·理论细节第85页
·ZnO/(Ga_(1-x)Zn_x)(N_(1-x)O_x)/GaN异质结构电子特性研究第85-93页
·本章小结第93-94页
参考文献第94-97页
第七章 总结与展望第97-100页
·本论文的主要内容和结果第97-98页
·本论文的特色和创新第98-99页
·展望第99-100页
致谢第100-101页
攻读博士学位期间参与和主持的项目第101页
获奖情况第101-102页
已发表和即将发表的论文第102-104页
参加的培训与学术会议第104-105页
附录:外文论文第105-121页
学位论文评阅及答辩情况表第121页
论文编号BS1793542,这篇论文共121页
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