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低维半导体纳米材料及其异质结构的第一性原理研究

发布时间:2016-07-28 08:54

  本文关键词:低维半导体纳米材料及其异质结构的第一性原理研究,由笔耕文化传播整理发布。


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低维半导体纳米材料及其异质结构的第一性原理研究

 

     论文目录

 

中文摘要第1-12页

ABSTRACT第12-15页

第一章 绪论第15-29页

   ·纳米材料概述第15-18页

     ·低维纳米材料分类第16-18页

     ·低维纳米材料实验制备简介第18页

   ·低维纳米材料研究现状与进展第18-22页

   ·选题意义及亟待解决的问题第22-23页

   ·论文结构第23-24页

 参考文献第24-29页

第二章 理论方法第29-43页

   ·第一性计算方法的基本原理第29-34页

     ·从头计算方法的三个基本近似第30-31页

     ·Hartree-Fock近似第31-34页

   ·密度泛函理论第34-40页

     ·Hohenberg-Kohn定理第34-36页

     ·Kohn-Sham方程第36-37页

     ·交换相关泛函第37-40页

     ·赝势方法第40页

   ·程序包简介第40-42页

     ·SIESTA软件包第40-41页

     ·VASP软件包第41-42页

 参考文献第42-43页

第三章 SiC多面单晶纳米线和多壁纳米管的第一性原理研究第43-59页

   ·前言第43-44页

   ·理论细节第44-45页

   ·SiC纳米线和多壁纳米管的能量演化与电子结构特性第45-55页

   ·本章小结第55-56页

 参考文献第56-59页

第四章 单晶3C-SiC纳米线的第一性原理研究第59-71页

   ·前言第59-60页

   ·理论细节第60-61页

   ·不同生长方向的单晶3C-SiC纳米线稳定性研究第61-68页

   ·本章小结第68-69页

 参考文献第69-71页

第五章 ZnO/GaN-core/shell异质结纳米线的第一性原理研究第71-83页

   ·前言第71-72页

   ·理论细节第72-73页

   ·ZnO/GaN-core/shell异质结纳米线结构与电子特性第73-79页

   ·本章小结第79-80页

 参考文献第80-83页

第六章 ZnO/GaN和ZnO/(Ga_(1-x)Zn_x)(N_(1-x)O_x)/GaN异质结构能带带阶的第一性原理研究第83-97页

   ·前言第83-85页

   ·理论细节第85页

   ·ZnO/(Ga_(1-x)Zn_x)(N_(1-x)O_x)/GaN异质结构电子特性研究第85-93页

   ·本章小结第93-94页

 参考文献第94-97页

第七章 总结与展望第97-100页

   ·本论文的主要内容和结果第97-98页

   ·本论文的特色和创新第98-99页

   ·展望第99-100页

致谢第100-101页

攻读博士学位期间参与和主持的项目第101页

获奖情况第101-102页

已发表和即将发表的论文第102-104页

参加的培训与学术会议第104-105页

附录:外文论文第105-121页

学位论文评阅及答辩情况表第121页


 

论文编号BS1793542,这篇论文共121页
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