低温状态下的材料法向发射率测量

发布时间：2017-09-04 16:00

  本文关键词：低温状态下的材料法向发射率测量

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【摘要】：研究了在-60~50℃条件下准确测量材料法向发射率的方法。基于发射率定义建立了材料法向发射率测量模型。为屏蔽环境杂散辐射与大气吸收的影响,利用真空液氮背景通道搭建了低温状态下材料发射率测量装置。测量了氧化铜与高发射率陶瓷两种样品的法向发射率随温度、波长的变化情况。结果表明:两种样品的法向光谱发射率均随波长增加而降低;随温度的升高,氧化铜样品法向积分发射率稳定为0.850±0.012,陶瓷样品的法向积分发射率降低了0.124。最后,实现了低温状态下红外光谱辐射的高精度采集,对低温状态下材料法向光谱发射率测量结果的不确定度进行了评定,得到的结果显示其相对扩展不确定度小于6.0%。
【作者单位】： 西安应用光学研究所国防科技工业光学一级计量站;
【关键词】： 材料发射率测量 低温测量 法向发射率 真空液氮背景通道 测量不确定度
【基金】：十二五总装预研项目(No.62201050103)
【分类号】：TB302
【正文快照】： 1引言材料发射率是描述物体热辐射特性的重要参数,主要用于红外辐射特性测试、红外隐身评估等研究[1]。伴随以军事国防技术为代表的诸多行业对材料发射率测量温度的宽范围需求,特别是卫星遥感、深空探测等领域在获取低温状态下材料法向发射率数据方面的迫切需求,低温状态下材

【参考文献】

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本文编号：792459