薄膜太阳电池缓冲层硫化镉的制备

发布时间：2017-09-11 04:17

  本文关键词：薄膜太阳电池缓冲层硫化镉的制备

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【摘要】：采用操作简单的化学水浴法(CBD)在普通载玻片上制备了太阳能电池用缓冲层硫化镉薄膜。通过改变反应温度、溶液p H值和退火温度等实验条件,探讨了硫化镉薄膜的最佳制备工艺条件,并利用X射线衍射仪、紫外-可见-分光光度计和电化学工作站对生成的薄膜样品进行了表征。结果表明,制备均匀性好、致密、覆盖度好的硫化镉薄膜的最佳实验条件如下:反应温度为70℃,溶液p H值为10,且后续在350℃温度下进行热处理1 h。此条件下得到的硫化隔薄膜的可见光透过率较高,具有明显的光电导现象;通过计算,最优实验条件下获得薄膜的禁带宽度为2.3 5 e V,与理论值2.42 e V很接近。
【作者单位】： 湖南工业大学包装与材料工程学院;华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室;
【关键词】： CZTS薄膜太阳电池 硫化镉 水浴法 缓冲层
【分类号】：TB383.2;TM914.4
【正文快照】： 1研究背景薄膜太阳电池的缓冲层为n型半导体材料,与p型的CZTS层正好形成一个p-n结。缓冲层是位于吸收层CZTS和窗口层Zn O之间的过渡层,可以作为保护异质窗口层与吸收层的界面反应,增加电池的光电转化效率[1-4]。硫化镉作为一种非常有研究价值的光电子半导体材料,其禁带宽度为2

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1 崔铁钰;崔放;李W，

本文编号：828565