In和Te掺杂PbSe薄膜制备及其对薄膜光电性能的影响机制

发布时间：2017-09-14 11:51

  本文关键词：In和Te掺杂PbSe薄膜制备及其对薄膜光电性能的影响机制

  更多相关文章： PbSe薄膜 掺杂 磁控溅射 能带结构 光电敏感性

【摘要】：采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜,并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高,其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高。这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的。而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄膜相近。
【作者单位】： 北京科技大学材料学院;中核核电运行管理有限公司;
【关键词】： PbSe薄膜 掺杂 磁控溅射 能带结构 光电敏感性
【基金】：国家自然科学基金项目(51271022) 中央高校基本科研业务费专项资助项目(FRF-TP-14-008A2) 北京市青年英才计划(YETP0353)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 0弓丨言 由于可在室温下保持优异的红外光电敏性和响应度,砸化铅(PbSe)薄膜已广泛用于红外探测器、太阳能电池板和激光二极管等光电器件的光敏核芯W。目前,常用的PbSe薄膜制备工艺包括化学浴沉积法、分子束外延法以及真空蒸发法等丨2_41。与上述方法相比,磁控溅射法在制备半

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