基于FIB-SEM双束系统的纳尺度真空间隙电学特性原位实验装置

发布时间：2017-09-15 01:34

  本文关键词：基于FIB-SEM双束系统的纳尺度真空间隙电学特性原位实验装置

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【摘要】：纳米尺度真空电气击穿与绝缘特性研究是高电压与绝缘技术领域的前沿课题。一方面,随着微纳尺度加工技术的不断发展,电气部件和电子器件的特征物理尺寸已经逐步降低到微米、纳米甚至是分子原子尺度,并且在军事和民用领域得到越来越广泛的应用;另一方面,传统的放电击穿理论和绝缘性能评价方法无法用来解释和预估微纳尺度的放电特性和绝缘水平。因此,本文基于聚焦离子束和扫描电子显微镜(FIB-SEM)双束系统,借助纳米压电位移技术和微弱电流测量技术,建立了纳尺度真空间隙电学特性的原位研究系统。该系统不仅能够进行微纳尺度(曲率半径为15 nm~10μm)金属电极的原位加工,材料组成成分的定量分析,而且可以实现纳尺度真空间隙(20 nm)的放电特性研究,为纳尺度击穿规律和绝缘特性的实验研究提供了有力的支撑。
【作者单位】： 西安交通大学电气工程学院;
【关键词】： FIB-SEM双束系统 纳尺度真空间隙 电气击穿 原位研究
【基金】：国家自然科学基金资助项目(No.51607138) 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费(No.SKLIPR.1512)
【分类号】：TM85;TB383.1
【正文快照】： 纳米尺度真空电气击穿与绝缘特性研究是高电压与绝缘技术领域的前沿课题。近年来,伴随着微纳加工技术的进一步发展,微纳尺度电气部件和电子器件不断出现并在军事和民用领域得到了广泛的应用。然而,这一类的微纳器件(如MEMS、NEMS等)往往需要面临极高场强的工作环境,其绝缘可靠，

本文编号：853562