工艺条件对中频磁控溅射CIGS薄膜的影响

发布时间：2017-09-21 14:01

  本文关键词：工艺条件对中频磁控溅射CIGS薄膜的影响

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【摘要】：采用铜铟镓硒(CIGS)四元合金靶材,利用中频溅射电源在钠钙玻璃基底上磁控溅射CIGS薄膜。研究了溅射功率及基底温度对CIGS薄膜结构及性能的影响。采用SEM、XRD、UV-Vis及四探针方阻测试仪对CIGS薄膜结构及性能进行了表征。结果表明,随着功率的升高,薄膜晶界明显,晶粒增大,光吸收系数达到105 cm-1数量级;随着基底温度升高到250℃,制备的CIGS吸收层薄膜结晶性最好,晶粒尺寸达到1μm,电阻率3 200Ω·cm,光吸收系数达到0.98×105 cm-1,禁带宽度为1.41eV。
【作者单位】： 大连工业大学纺织与材料工程学院;
【关键词】： 中频磁控溅射 CIGS薄膜 功率 基底温度
【基金】：大连市建委资助项目(2012-456) 大连市科技平台建设项目(2010-354)
【分类号】：TB383.2;TM914.4
【正文快照】： 0引言铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池是一种新型的环保型电池,具有成本低,转换效率高,性能稳定,弱光性好等特点[1-3],拥有广阔的发展前景。2013年10月,德国的氢能和可再生能源研究中心(ZSW)和Manz集团经过密切的技术合作,CIGS薄膜太阳电池的转化效率已达到20.8%[4],创造了新的世，

本文编号：894950