氧分压对NiO_x薄膜微结构和电阻开关特性的影响

发布时间：2017-09-22 19:39

  本文关键词：氧分压对NiO_x薄膜微结构和电阻开关特性的影响

  更多相关文章： NiOx薄膜 微结构 电阻开关特性

【摘要】：利用磁控溅射方法在镀Pt的Si(100)衬底上沉积制备NiO_x薄膜,研究了氧分压对薄膜微结构和电阻开关特性的影响.微结构观测分析结果表明:在20%氧分压下,可获得沿[200]晶向择优生长的NiO_x多晶薄膜,薄膜表面平整致密,晶粒平均直径约为13.8nm,垂直衬底生长形成柱状晶粒结构.磁性测试结果显示薄膜具有典型的铁磁性磁化曲线,但薄膜饱和磁矩随着氧分压增加急剧降低.电学测试结果表明20%氧分压氛围下沉积制备薄膜样品的电流-电压曲线呈现出典型的双极性电阻开关特性:在-0.6V读取电压下,可获得大于10的高/低电阻态阻值比.指数定律拟合电流-电压实验曲线表明:薄膜低电阻态漏电流为欧姆接触电导;而薄膜处于高电阻态时,低电压下的漏电流仍以欧姆接触电导为主,高电压下则以缺陷主导的空间电荷限制电流为主.
【作者单位】： 西南大学物理科学与技术学院;
【关键词】： NiOx薄膜 微结构 电阻开关特性
【基金】：国家自然科学基金(11274257) 重庆市自然科学基金(cstc2014jcyjA40029) 中央高校基本科研业务费专项资金(XDJK2014B043)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 目前,非易失性存储器主流技术为Flash存储技术,但随着器件尺寸的不断减小,隧穿氧化层厚度的持续减薄导致存储电荷的隧穿效应越来越严重,这直接降低了Flash存储器件的数据保存持久性能[1].为制造出新一代复合型存储器,人们先后研发出了铁电存储器、磁存储器、相变存储器和电阻

【共引文献】

中国期刊全文数据库 前3条

1 霍进迁;张yN扬;朱华星;王瑞雪;邱晓燕;;扫描电压幅值调控循环方向的NiO_x薄膜电阻开关特性[J];中国科学:物理学 力学 天文学;2015年05期

2 石芬;;氧化镍存储薄膜微细图形的研究[J];合成材料老化与应用;2015年04期

3 李建昌;王玉磊;侯雪艳;徐彬;巴德纯;;氧化镍薄膜阻变特性研究进展[J];真空科学与技术学报;2013年12期

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前3条

1 季振国;王君杰;毛启楠;席俊华;;Bi_2O_3薄膜的制备及其电阻开关特性的研究[J];无机材料学报;2012年03期

2 闵孟斌;岳建锋;李亮玉;刘晓辉;;IGBT应用特性测试与分析[J];焊接技术;2013年05期

3 ;[J];;年期

中国重要会议论文全文数据库 前4条

1 韩龙吉;徐凤岐;田海明;姚明;;中置柜开关特性试验辅助装置的设计与应用[A];山东电机工程学会2012年度学术年会论文集[C];2012年

2 李洪涛;王玉娟;丰树平;谢卫平;邓建军;丁伯南;;4 MV激光触发多级多通道开关特性[A];中国工程物理研究院科技年报(2008年版)[C];2009年

3 顾忠泽;刘举正;韦钰;;CuTCNQ开关特性的研究[A];首届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1992年

4 张东;(十日十卜)明勇;白玉白;李铁津;;[Zn(dmit)_2]~(2-)的电化学行为与氧化还原开关特性[A];首届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1992年

中国重要报纸全文数据库 前1条

1 江西 肖晓亮;自制沐浴热水器自控水龙头[N];电子报;2007年

中国博士学位论文全文数据库 前2条

1 张婷;钙钛矿结构金属氧化物薄膜的室温可逆电阻开关特性研究[D];河南大学;2010年

2 尚超;RSD开关特性及重频和间隙负载放电特性研究[D];华中科技大学;2011年

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 王颖;基于电阻态开关特性的二端有机非易失性存贮器研究[D];兰州大学;2011年

2 陈伟峰;基于氧化镍薄膜的电阻开关特性研究[D];杭州电子科技大学;2011年

3 张甲阳;4H-SiC PiN二极管开关特性研究[D];西安电子科技大学;2010年

4 袁书琼;非线性光纤环形镜的开关特性及偏振特性研究[D];华南师范大学;2007年

5 刘晓娜;Pr_（0.7）Sr_（0.3）MnO_3薄膜的室温电阻开关特性[D];河南大学;2011年

6 臧云飞;五氧化二钽异质结的电阻开关特性研究[D];山东大学;2014年

7 王麒;RF-溅射制备氧化钒薄膜及其电致开关特性研究[D];天津理工大学;2012年

8 周丽萍;基于TiO_2薄膜的电阻开关特性研究[D];杭州电子科技大学;2011年

9 柯伟青;基于氧化锌薄膜的电阻开关特性研究[D];杭州电子科技大学;2010年

10 秦风;辉光放电触发赝火花开关特性研究[D];中国工程物理研究院;2010年

，

本文编号：902687