高价金属元素掺杂ITO薄膜性能的研究现状

发布时间：2017-09-28 12:16

  本文关键词：高价金属元素掺杂ITO薄膜性能的研究现状

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【摘要】：铟锡氧化物(ITO)薄膜是一种光电性能优良的二元透明导电氧化物(TCO)薄膜,随着其在应用领域的不断拓展,其各项性能需要进一步提升。向ITO薄膜中掺入高价金属元素是一种有效的改性方法,该方法已经逐步成为研究热点。
【作者单位】： 中国船舶重工集团公司第725研究所;
【关键词】： 透明导电氧化物 ITO薄膜 掺杂
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： ITO具有立方铁锰矿结构,是一种重掺杂、高简并的n型半导体,禁带宽度3.5~4.3 e V,载流子浓度1021cm-3量级。ITO薄膜兼具宽禁带、高可见光透过率及低电阻率等光电特性,是综合性能最优、应用最为广泛的TCO薄膜。ITO薄膜电阻率1×10-4~4×10-4Ω·cm,可见光波长范围平均透过率达85

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本文编号：935786