当前位置:主页 > 科技论文 > 电气论文 >

Buck-Boost变换器的无源性控制研究

发布时间:2021-03-07 12:23
  随着科技与社会的不断发展进步,人们对于电力电子装置输出的电能质量要求也是越来越高。特别是如今国家号召大力发展新能源,可将像风能、太阳能等可持续能源转化为电能供人们使用,然而这类能源存在各类干扰问题或者大范围波动问题。为了得到稳定且高质量的电能,开关电源的控制方法近年来成为了各学者研究的热点。相较于线性控制方法,非线性控制方法有着更好的鲁棒性和稳定性,其中无源性控制方法以其结构简单、实现容易加上鲁棒性强、稳定性高、动态性能好等优点而应用广泛。以Buck-Boost型DC-DC变换器作为研究对象,对无源性控制方法进行研究。无源性控制方法起源于网络理论以及物理其他相关分支学科,主要从能量的角度来设计控制器。基于无源性和耗散性的定义,结合其与稳定性的关联,根据端口受控的耗散哈密顿系统进行控制器设计。首先采用等效电路的方法对Buck-Boost变换器的基本工作原理进行详细分析,根据电感电流是否连续,推导出其两种工作模式,在此基础上建立了其在电感电流连续模式下的大信号模型、小信号模型和状态空间平均模型。为了得到更好性能的Buck-Boost变换器系统,首先将Buck-Boost变换器的数学模型变换... 

【文章来源】:浙江工业大学浙江省

【文章页数】:97 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

Buck-Boost变换器的无源性控制研究


Buck-Boost变换器实验测试平台Fig6-1.ExperimentaltestsystemsetupofBuck-Boostconverter

主电路图,变换器,主电路,电流


540的耐压值为100V而IRLR7843的耐压值为30V。本次设计的Buck-Boost变换器功率较低,因此选择IRLR7843这款功率MOSFET作为Buck-Boost变换器的开关管。而电感元件和电容元件的选取,通过一系列的计算即可得到,这里选取电感值为220μH,输入电容值为470μF,输出电容值为330μF,负载选择为10Ω。由于DSP的电压级为0~3.3V,而Buck-Boost变换器设计的输出电压为12V,因此需要图中的xR和yR组成的输出电压的采样电路,将输出电压按一定比例缩小后采样进入DSP中进行运算。其数量关系为youtoxy=+RVVRR(6-1)图6-3Buck-Boost变换器主电路Figure6-3.Buck-Boostconvertermaincircuit6.3.2电流检测回路设计此次课题设计的控制算法,需要Buck-Boost变换器的电感电流和输出电压这两个反馈信号来设计算法。输出电压的采样电路在上一节已经介绍了,这里主要介绍以下电流采样电路,主要用来对于电感电流和输出电流进行采样。本次电流采样电路主要是采用MAXIM公司的型号为MAX471的电流检测芯片,MAX471是完整的双向高边电流检测放大器,适用于便携式PC,电话和其他电池或直流电源线监控至关重要的系统。高端电力线监控在电池供电系统中尤其有用,因为它不会干扰电池中经常出现的电池充电器或监视器的接地路径。

设计图,检测电路,电流,芯片


浙江工业大学硕士学位论文66MAX471内置35mΩ电流检测电阻,可测量高达±3A的电池电流。对于需要更高电流或更高灵活性的应用,这款器件均具有电流输出,可通过单个电阻转换为接地参考电压,从而可实现各种电池电压和电流。MAX471的开路集电极SIGN输出指示电流流动方向,因此用户可以监控电池是否正在充电或放电。这款器件工作在3V至36V,温度范围小于100μA,最大关断模式为18μA。这部分电路的设计图如图6-4所示,电流从芯片的RS+端流入,从RS-端流出。芯片的OUT端输出的电压值与流经芯片的电流成一定的比例关系,其芯片内部的电流增益比已经预设为500μA/A。如图6-4所设计的外围电路中,芯片的OUT端和GND之间连一个2KΩ的电阻即可产生1V/A的电压电流转换比,即流过芯片的电流与芯片OUT端的电压成1V/A的比例关系。图6-4电流检测电路Figure6-4.Currentdetectioncircuit6.3.3功率MOSFET驱动电路设计在6.3.1节中有说到过,功率MOSFET其中一个优点就是驱动电路结构简单,需要的驱动电压较校本次选择IRLR7843这款功率MOSFET作为Buck-Boost变换器的开关管,其耐压值为30V,最大工作电流为161A,导通电阻为3.3mΩ。由于DSP的输出电压为0~5V,不足以驱动功率MOSFET,需要功率MOSFET驱动电路。比较各种方案,本次设计采用驱动芯片IR2104的驱动电路方案,其电路设计图如图6-5所示。IR2104是高电压高速度的功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关的高端和低端参考输出通道。其专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,可低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压为10至600伏。


本文编号:3069086

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianlidianqilunwen/3069086.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户60dc1***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com