低压直流固态断路器用SiC MOSFET温度特性及快速可靠关断技术研究

发布时间：2021-09-17 11:49

　　作为分布式新能源更高效率的接入形式的直流微电网技术,对实现能源可持续发展和推进节能减排具有重要意义。然而,保护技术的缺乏限制了直流微电网的应用。固态断路器能够快速切断线路故障、结构简单、无弧动作、性能可靠,并可以将短路电流限制在较低水平,是直流微电网保护技术未来的发展方向。目前基于硅（Silicon,Si）功率器件的直流固态断路器通态损耗高、器件工作结温低、耐受电压低、性能受温度影响显著,限制了固态断路器的进一步推广。碳化硅（Silicon Carbide,SiC）功率器件具有低损耗、高耐压、高工作结温以及性能受温度影响小等优良特性,为固态断路器的快速可靠关断能力提供了可能。然而,直流微电网发生短路故障时,故障电流迅速增加,会导致器件结温显著上升,使得器件工作于高温状态,可能会导致器件动、静态特性及特征参数发生改变。由于SiC功率器件关断速度较快,电流变化率较大,还会给断路器带来较大的瞬时电压应力问题。此外,为配合断路器动作,快速可靠的故障电流检测也必不可少。为了发挥SiC MOSFET的优势,确保基于SiC MOSFET的直流固态断路器具有快速、可靠关断能力,论文开展了SiC MOS... 

【文章来源】：重庆大学重庆市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：125 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

直流固态断路器样机Fig.6.8SiCMOSFET-basedDCsolidstatecircuitbreakerprototype

【参考文献】：
期刊论文
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硕士论文
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[4]IGBT驱动及过压保护研究[D]. 赵恺.华南理工大学 2015
[5]基于碳化硅MOSFET变温度参数模型的器件建模与仿真验证[D]. 徐国林.华北电力大学 2015
[6]全固态高压直流断路器的设计[D]. 常友辉.西安电子科技大学 2014
[7]适应于分布式电源接入的直流微网研究[D]. 朱克平.浙江大学 2013
[8]碳化硅MOSFET应用技术研究[D]. 陆珏晶.南京航空航天大学 2013
[9]低压ZnO压敏电阻器的性能优化[D]. 惠磊.西安电子科技大学 2011



本文编号：3398662