晶硅太阳能电池无氧扩散技术

发布时间：2021-10-25 13:55

　　当前,同质结晶硅太阳电池在光伏市场中占很大份额。进一步提升此类电池的效率是本领域的研究重点。扩散是该类太阳电池制备的中心环节,扩散工艺的效果直接影响到最终电池的效率。为了获得比三氯氧磷/溴化硼等液态源扩散更优更适宜晶体硅太阳电池特性的扩散技术,减少扩散过程中氧的引入,我们经过系列的研发改进,提出了一种新的扩散技术—无氧扩散技术,其尤其适用于n型晶体硅太阳电池的硼扩散。其关键在于采用无氧扩散源,高温时在无氧环境中进行扩散,然后降低到较低温度进行氧化吸杂。研究过程中获得的主要结果如下:1、理论分析发现,高温下硅片表面的氧向硅中扩散能力很强,尤其是在硼扩散温度（～1000℃）,其扩散深度和浓度甚至远超硼的。我们在硅片表面沉积重掺杂硼的非晶硅薄膜,在有氧气和无氧气的气氛条件下进行扩散对比实验,通过XPS测试两种条件下从硅片表面向内部的氧浓度分布情况,最终实验结果与理论分析相符。2、采用重掺杂硼或者磷的非晶硅薄膜作为扩散源进行扩散,我们获得了硼扩散层方阻在40-400 Ω/sq范围内,结深在0.4 μm-1.2μm范围内,表面浓度在1 × 1 019 cm^-3-1 × 10... 

【文章来源】：南昌大学江西省 211工程院校

【文章页数】：52 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
ABSTRACT
第1章 绪论
    1.1 晶硅太阳能电池发展与现状
    1.2 晶硅太阳能电池扩散技术
        1.2.1 引言
        1.2.2 硼扩散技术
        1.2.3 磷扩散技术
    1.3 硼磷氧在晶体硅中的扩散行为
        1.3.1 硼在晶体硅中的扩散行为
        1.3.2 磷在晶体硅中的扩散行为
        1.3.3 氧在晶体硅中的扩散行为
    1.4 本论文研究内容简介
第2章 实验条件准备
    2.1 清洗工艺
    2.2 扩散工艺
    2.3 样品表征方法
第3章 结果与讨论
    3.1 扩散工艺对硅片性能影响
        3.1.1 方阻结果分析
        3.1.2 少子寿命结果分析
    3.2 氧在硅中的扩散
    3.3 无氧扩散低温氧化技术
第4章 总结与展望
    4.1 研究总结
    4.2 展望
致谢
参考文献
攻读学位期间研究成果


【参考文献】：
期刊论文
[1]热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p+/n+发射极研究[J]. 宿世超,王涛,韩宇哲,田罡煜,黄海宾,高超,岳之浩,袁吉仁,周浪.  人工晶体学报. 2016(11)
[2]n型补偿直拉单晶硅的电子迁移率[J]. 易俊,陈鹏,马向阳,杨德仁.  材料科学与工程学报. 2015(01)



本文编号：3457538