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聚酰亚胺/纳米SiO 2 -Al 2 O 3 耐电晕薄膜的制备、表征及性能研究

发布时间:2021-12-15 22:48
  聚酰亚胺(polyimide,PI)由于具有优异的热稳定性,机械性能和电气绝缘性能,广泛应用于航空航天及电气电子等领域。近年来,随着交流变频调速电机得到广泛应用,对绝缘材料的耐电晕性能的要求进一步提高。因此耐电晕材料的设计研制已成为材料科学的研究热点。本文采用纳米SiO2-Al2O3材料掺杂到PI基体中,制备了具有高耐电晕性能的纳米电介质材料。本文采用溶胶凝胶法与热液法结合的方式,制备了纳米SiO2-Al2O3分散液,采用原位聚合法将所制备的纳米SiO2-Al2O3与PI复合,并采用流延法和浸胶法制备了PI/纳米SiO2-Al2O3单层和多层复合薄膜。采用X射线衍射、红外光谱、透射电镜等方法研究纳米粒子及复合薄膜的微观结构。研究结果表明,纳米SiO2-Al2O3... 

【文章来源】:哈尔滨理工大学黑龙江省

【文章页数】:129 页

【学位级别】:博士

【部分图文】:

聚酰亚胺/纳米SiO 2 -Al 2 O 3 耐电晕薄膜的制备、表征及性能研究


聚合物/层状硅酸盐复合材料的耐电晕机理的多核模型

示意图,纳米SiO2,纳米,过程


图 2-2 PAA/ 纳米 SiO2-Al2O3复合薄膜的制备过程reparation procedure of PAA/ nano-SiO2-Al2O3compSiO2-Al2O3试样及原料比例如表 2-4。表中 P掺杂量质量分数。纳米 SiO2-Al2O3分散液中表 2-4 PI/纳米 SiO2-Al2O3试样及原料比例ab. 2-4 Samples of PI/nano-SiO2-Al2O3and the reacta 原料加入量(g)) SiO2-Al2O3ODA PMDA D0 10 10.9 111.0 10 10.9 123.2 10 10.9 136.9 10 10.9 152.3 10 10.9 9备 PI/纳米 SiO2-Al2O3复合薄膜简单,厚度控制准确,适宜制备单层复合薄

铺膜机,实物,纳米


图 2-3 铺膜机实物图Fig.2-3 The home made filming machine制备单层薄膜的具体操作过程为:将光滑无痕的玻璃 PAA/纳米 SiO2-Al2O3复合胶液涂于玻璃板上,通过调节厚度,打开驱动电机开关,刀架将推动铺膜刀匀厚度均匀的 PAA/纳米 SiO2-Al2O3薄膜;然后将玻璃度为 80℃,保持 15min,120℃保持 20min,180℃保 20min,最终亚胺化温度为 340℃,保持 5min,关闭膜,即可制得单层 PI/纳米 SiO2-Al2O3复合薄膜。5 为采用流延法制备的 PI/纳米 SiO2-Al2O3单层薄膜(为 Sd-p,其中下角标 d 表示采用纳米 SiO2-Al2O3序号膜掺杂量的质量分数。表 2-5 不同组分的聚酰亚胺纳米单层复合薄膜Tab.2-5 List of the prepared single layer PI nano-composite films样名称 厚度(μm) 纳米粒子掺PI 25±0.5 0S1-1525±0.5 15S25±0.5 15

【参考文献】:
期刊论文
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博士论文
[1]PI/Al2O3三层纳米复合薄膜层间界面结构与性能研究[D]. 石慧.哈尔滨理工大学 2017
[2]PI/(MMT+AlN)纳米复合薄膜结构、耐电晕特性及机理研究[D]. 陈明华.哈尔滨理工大学 2013
[3]我国高速铁路可持续性竞争优势研究[D]. 吕忠扬.北京交通大学 2015
[4]PI/Al2O3杂化薄膜Al含量分析方法、电晕老化及热老化寿命研究[D]. 周浩然.哈尔滨理工大学 2011
[5]耐电晕聚酰亚胺/无机纳米复合薄膜的制备与电性能研究[D]. 查俊伟.北京化工大学 2010
[6]聚酰亚胺/氧化铝纳米复合薄膜制备与性能研究[D]. 周宏.哈尔滨理工大学 2009
[7]无机纳米—聚酰亚胺复合薄膜介电性及耐电晕老化机理研究[D]. 张沛红.哈尔滨理工大学 2006

硕士论文
[1]聚酰亚胺/三氧化二铝复合薄膜耐电晕性能及机理[D]. 夏旭.哈尔滨理工大学 2014
[2]Al2O3杂化聚酰亚胺薄膜Al含量测试方法研究[D]. 林飞.哈尔滨理工大学 2008



本文编号:3537283

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