原子层沉积制备TiN薄膜对三维MIM电容器的影响

发布时间：2023-04-27 23:58

　　基于原子层沉积技术和高深宽比硅微基础结构,分别选用W、TiN和Al₂O₃作为电极层、缓冲层和介质层,实现了两种三维MIM电容器.采用SEM、XRD、XPS和电学测试仪等分析手段,重点研究原子层沉积技术所制备的TiN薄膜特性及其对MIM电容器的影响.结果表明:无定型TiN薄膜具有良好的化学计量比和导电特性,其应力缓冲作用增加了电容器金属与介质层间的粘附性,且提高电容器容值达8.3%.

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【文章目录】：
0 引言
1 实验
    1.1 制备工艺
    1.2 测试与表征
2 结果与讨论
    2.1 容器微观结构形貌分析
    2.2 TiN薄膜化学组分分析
    2.3 TiN薄膜晶相分析
    2.4 TiN薄膜电阻率分析
    2.5 MIM电容器容值测试
3 结论



本文编号：3803329