聚偏氟乙烯基复合薄膜的制备与介电性能研究

发布时间：2024-03-15 02:40

　　近些年来,随着电子产业的蓬勃发展,开发新一代具有高储能低损耗的柔性电介质材料显得尤为迫切,聚偏氟乙烯(PVDF)及其共聚物凭其高介电常数引发了极大的关注,成为最有潜力的电介质储能材料。本文以VDF与六氟丙烯(HFP)的共聚物P(VDF-HFP)为基体材料,同时引入核壳结构M220(壳为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),核为丙烯酸酯类),采用溶液法制备了不同比例的P(VDF-HFP)/M220复合薄膜,并研究M220对P(VDF-HFP)结晶行为和储能性能的影响。此外,分别采用熔融混合法和溶液流延法,引入了导电填料碳纳米管(MWCNTs),制备了不同比例的P(VDF-HFP)/MWCNTs两相复合薄膜和P(VDF-HFP)/PMMA/MWCNTs三相复合薄膜(PMMA含量为10%),并通过对薄膜晶相结构、介电性能和机械性能的对比研究来探讨MWCNTs对复合薄膜的结构与性能的影响。M220含量低时可作为异相成核剂,促进P(VDF-HFP)的结晶,但是含量高时核壳结构部分破裂会阻碍结晶。复合材料的介电常数和介电损耗随着M220的加入有所降低,但复合薄膜的击穿强度显著提高,当M220含量为5%时,...

【文章页数】：72 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图1-1材料的极化类型与频率的关系

但是每一种极化都有其固定的频率，极化类型与频率的关系如图1-1所示。(1)位移极化电子的位移极化指电子云在外电场下发生相对于分子骨架的移动，使正负电荷中心发生位置偏移造成的；原子的位移极化是指分子骨架在外电场下发生变形，由于各原子的电负性不同，在外电场下发生的位置移动也会不同....

图2-1介电性能测试电极简图

测试前在薄膜两面分别涂范围设置为20Hz-5MHz，测试电压为原理可用公式(2-1)表示：=×(2)2×0介电常数；)；)；直径(m)；数，值为8×10-12(F/m)。损耗测试中所用的电极如图2-1所示。

图2-2GB/T1040.3-2006的试样尺寸要求

第2章实验材料及分析方法合薄膜以15mm/min的拉伸速率进行拉伸试验，得到复合薄膜的拉率。

图3-1P(VDF-HFP)/M220复合薄膜制备流程

燕山大学工学硕士学位论文第3章P(VDF-HFP)/M220复合薄膜的制备与性能研究3.1P(VDF-HFP)/M220复合薄膜的制备本章主要采用溶液流延法的工艺制备了M220含量分别为0%、3%、5%和8%的P(VDF-HFP)/M220复合薄膜。制备过程....

本文编号：3928428