退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

发布时间：2017-10-10 13:37

  本文关键词：退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

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【摘要】：采用溶液法在玻璃衬底上制备InGaZnO薄膜,并以InGaZnO为沟道层制备底栅顶接触型薄膜晶体管,研究了退火温度和Ga含量对InGaZnO薄膜和晶体管电学性能的影响.研究表明,退火可以明显改善溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管的电学性能.退火温度的升高会导致薄膜晶体管阈值电压的负向漂移,并且饱和迁移率和电流开关比增大.X射线光电子能谱测量表明,随退火温度的增加,InGaZnO薄膜表面吸附氧减少,沟道层中氧空位增多导致电子浓度增大.退火温度为380?C时,晶体管获得最佳性能.饱和迁移率随Ga含量的增加而减小.In:Ga:Zn摩尔比为5:1.3:2时,晶体管达到最佳性能:饱和迁移率为0.43 cm~2/(V·s),阈值电压为1.22 V,开关电流比为4.7×10~4,亚阈值摆幅为0.78 V/decade.
【作者单位】： 北京理工大学光电学院薄膜与显示实验室;
【关键词】： InGaZnO 薄膜晶体管 溶液法 热退火
【基金】：国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB643600)资助的课题~~
【分类号】：TN321.5
【正文快照】： 1引言2003年,Hoffman等[1]报道了以Zn O为有源层的全透明薄膜晶体管(thin film transistor,TFT),并提出了透明电子学[2]的概念.此后,以氧化物半导体为有源层的TFT技术迅速引起了人们的广泛关注.多元金属氧化物的重金属阳离子离域的s轨道可形成很大程度上分散的导带和较小的电

【参考文献】

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【共引文献】

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1 张世玉;喻志农;程锦;吴德龙;栗旭阳;薛唯;;退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响[J];物理学报;2016年12期

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本文编号：1006707