HCD法制备ITO薄膜的研究
本文关键词:HCD法制备ITO薄膜的研究
【摘要】:针对全球能源短缺、污染严重问题日益严重,节能环保将是未来全球亟待研究的重要课题。在照明领域,半导体照明即发光二极管,也叫LED (Light emitting diode),作为新型照明产品,有着节能、环保、寿命长等优点,正日益受到广泛关注。在诸多LED材料中,GaN基LED因其特有的禁带宽度而得到广泛应用。而ITO薄膜(Indium tin oxide)因其兼具导电和透光的特性被广泛的作为GaN基LED的电流扩展层。因此,本文以基于GaN基LED的ITO薄膜为研究对象,分析了空心阴极放电(HCD)法制备的ITO薄膜的特性并探讨了不同特性的ITO薄膜对GaN基LED的光电性能的影响。首先,本文研究了ITO薄膜的机理、应用及发展现状及不同的制备方法制备出的ITO薄膜的特性间的差异;分析了ITO薄膜各项性能的测试方法以及作为GaN基LED电流扩展层的要求:兼具导电、透光、良好的欧姆接触特性和具备与其它膜层有着良好的披覆性。其次,研究了HCD法(空心阴极放电法)及HCD设备的基本原理。本文采用HCD法制备出不同退火条件下的ITO薄膜,并对所有制备出的ITO薄膜的厚度及退火条件对光电性的影响进行总结分析,分析出制备1TO最合理的薄膜厚度及最佳退火条件。并且通过改变沉积速率及氧气、氩气流量的方式,总结出在不同条件下制备的ITO薄膜对GaN基LED光电性的影响结果。最后,为了验证所分析出的实验数据有效性和最优性,本文研究比较了HCD法制备的ITO薄膜与传统E-Beam法制备ITO薄膜的性能差异,并结合HCD法制备ITO薄膜的相关披覆性,进而得出使GaN基LED光电性能达到最佳的ITO薄膜。
【关键词】:ITO薄膜 GaN基 LED 光电性能
【学位授予单位】:大连理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TN304.055
【目录】:
- 摘要4-5
- Abstract5-8
- 引言8-9
- 1 绪论9-13
- 1.1 ITO的发展现状9-10
- 1.2 ITO的结构与机理10-12
- 1.3 ITO的应用12-13
- 2 ITO薄膜制备及测试方法13-24
- 2.1 ITO薄膜制备方法13-16
- 2.1.1 磁控溅射法13-14
- 2.1.2 真空蒸发法14-16
- 2.2 空心阴极放电离子镀原理16-19
- 2.2.1 低压气体放电理论16-17
- 2.2.2 HCD法原理及HCD设备17-19
- 2.3 ITO薄膜的测试方法19-24
- 2.3.1 方块电阻(Rs)的测试19-20
- 2.3.2 穿透率T%的测试20-21
- 2.3.3 ITO薄膜厚度测试方法21-22
- 2.3.4 ITO薄膜微观形貌测试22-24
- 3 HCD法制备ITO薄膜24-36
- 3.1 GaN基LED结构24-25
- 3.1.1 GaN基LED制造流程24-25
- 3.1.2 GaN基LED重要性能参数25
- 3.2 不同厚度ITO薄膜性能差异25-27
- 3.3 不同退火条件对ITO性能影响27-31
- 3.3.1 ITO薄膜退火作用27-28
- 3.3.2 不同退火条件对ITO薄膜性能影响28-31
- 3.4 不同蒸发条件对ITO薄膜影响31-36
- 4 HCD法制备ITO薄膜与E-Beam法制备ITO薄膜性能差异及其披覆性研究36-44
- 4.1 HCD法制备ITO薄膜与E-Beam法制备ITO薄膜性能差异36-37
- 4.2 HCD法制备ITO薄膜披覆性研究37-44
- 4.2.1 HCD法制备ITO薄膜披覆异常分布37-40
- 4.2.2 HCD法制备ITO薄膜搭配问题解决40-42
- 4.2.3 HCD法制备ITO薄膜搭配问题其他解决方案42-44
- 结论44-45
- 参考文献45-48
- 攻读硕士学位期间发表学术论文情况48-49
- 致谢49-50
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,本文编号:1006927
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