SiC量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究

发布时间：2017-10-13 01:07

  本文关键词：SiC量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究

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【摘要】：通过腐蚀法制备SiC量子点荧光标记材料,以硝酸和氢氟酸为腐蚀剂,通过超声空化破碎分散及超重力场层析剪裁,得到SiC量子点水相溶液,研究了制备工艺参数对光学特性的影响,结果表明,降酸清洗次数、超声时长对量子点光致发光峰值(荧光强度)的影响最为显著,而腐蚀剂成分及配比、超重力系数在一定程度上影响了其光致发光强度及发射光波长,同时腐蚀剂成分中氢氟酸含量的增加使得光致发光峰值位置发生红移,而超声时长及超重力系数的增加使得SiC量子点光致发光峰值位置发生蓝移。并对SiC颗粒腐蚀过程相关机制也进行了探讨。
【作者单位】： 山东农业大学机械与电子工程学院;山东省园艺机械与装备重点实验室;浦项工科大学材料科学与工程学院;
【关键词】： SiC量子点 腐蚀法 工艺参数 光谱特征
【基金】：山东省科技发展计划资助项目(2014GGX102012) 山东省博士后创新基金资助项目(201203101) 中国博士后科学基金资助项目(2013M53163)
【分类号】：TN304.24
【正文快照】： 0引言量子点是一种重要的新型半导体荧光纳米材料,由Ⅱ-Ⅵ或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的尺寸约为几十纳米至几纳米的细小颗粒,它具有独特的光学特性,如光学特性稳定、荧光颜色可调且分辨率较高、斯托克斯位移大等,因此量子点在荧光标记、化学分析、光催化及光电器件的研究领域得到了广

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本文编号：1021938