基于电容分段反馈的绝缘栅双极型晶体管门极驱动

发布时间：2017-10-13 09:06

  本文关键词：基于电容分段反馈的绝缘栅双极型晶体管门极驱动

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【摘要】：将绝缘栅双极型晶体管(IGBT)关断过程分解为多个阶段,对IGBT关断过程中电压上升和电流下降采取分阶段电容耦合反馈从而独立控制dv/dt和di/dt,实现电磁辐射和关断电压反峰的双重约束。基于Pspiece模型仿真出不同反馈电容及门极电阻下的开关损耗和关断电压反峰,绘制出了相互之间的关系曲线,同时提出了一套优化系统参数的计算方法。选取英飞凌FS400R07A1E3_H5型IGBT模块,设计出了具备电容反馈的驱动电路,实验结果表明:在通过IGBT电流为400A的情况下,采取电容反馈的驱动电路将反峰电压降低80V左右,模块温升有所降低,验证了本文方法的正确性。
【作者单位】： 吉林大学汽车工程学院;吉林大学物理学院;
【关键词】： 车辆工程 绝缘栅双极型晶体管 开关损耗 门极驱动 电容反馈 电压反峰
【分类号】：U461;;TM46
【正文快照】： 0引言绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolartransistor,IGBT)广泛应用于各种换能领域,大功率IGBT驱动是电力电子领域学者研究的热点,尤其在新能源汽车领域,高功率密度、宽电压工作范围的电机控制器(MCU)一直是工程师努力的方向。评价IGBT驱动可以从开关损耗、开关速度、

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2 张婵;IGCT集成门极驱动电路研究[D];北京交通大学;2007年

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本文编号：1023975