纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响
本文关键词：纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响
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【摘要】：纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米柱结构的形貌,并测试了常温和10 K低温时的光致发光谱(PL)。结果表明:应变释放对压电场的影响显著,使得纳米柱结构样品的内量子效率(IQE)提高,PL谱峰值波长蓝移;应变在量子阱中的不均匀分布还使得PL谱半高全宽(FWHM)展宽。与普通平面结构相比,高度为747 nm的纳米柱结构可使得IQE提升917%,PL谱峰值波长蓝移18 nm、FWHM展宽7 nm。另外,纳米柱结构样品的有源区有效面积减小可使得PL谱FWHM减小。
【作者单位】： 华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心物理与光电学院;广州现代产业技术研究院;
【关键词】： GaN基LED 绿光LED 纳米柱结构 光致发光谱
【基金】：“863”国家高技术研究发展计划(2014AA032609) 国家自然科学基金(61404050) 广东省科技计划(2014B010119002,2016A010103011) 广州市珠江科技新星专项(201610010038) 中央高校基本科研业务费专项资金(2015ZM131)资助项目
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 1引言为实现绿光LED,有源层往往需要采用较高In组分的In Ga N量子阱层。而随着In组分的增加,In-Ga N阱层和Ga N垒层之间的晶格失配增大,使得量子阱层存在较大的应变。这一方面导致有源区的缺陷密度提高,增加了非辐射复合中心;另一方面由于极化电场导致能带倾斜,降低了电子-空
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，本文编号：1026301
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