5nm生产线的挑战

发布时间：2017-10-14 21:16

  本文关键词：5nm生产线的挑战

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【摘要】：集成电路芯片的制造技术已经进入16/14nm时代,10nm甚至7nm时基本上可以使用现在同样的制造设备,似乎已无悬念。业界普遍认为5nm肯定是个坎,如果EUV光刻设备不能准备好,逼迫要采用五次图形曝光技术(FP)。另一方面,晶体管结构的创新和半导体材料的创新、互连技术与工艺控制技术都是5nm工艺将面临的关键点。
【作者单位】： 求是缘半导体联盟;
【关键词】： 集成电路制造 nm EUV光刻 finFET 纳米线FET
【分类号】：TN405
【正文快照】： 管的一面让栅包围的fin FET。Intel的纳米线FET有时被称作为环栅FET,并被国际工艺路线图ITRS定义可实现5nm的工艺技术。如果Intel不是走在前列,不可能提供它的5nm进展信息。它的报告似乎给出一个信号,5nm可能有希望实现,它拓展的工艺路线图中正在采用新的晶体管结构。显然在5n，

本文编号：1033221