占空比可调的氮化镓纳米圆台阵列的制备及其光致发光效率的研究

发布时间：2017-10-15 13:36

  本文关键词：占空比可调的氮化镓纳米圆台阵列的制备及其光致发光效率的研究

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【摘要】：实验中在p-Ga N层制备单层密排的聚苯乙烯(PS)纳米球作为掩模,通过改变纳米球掩膜的直径,制作了周期性的占空比不同的Ga N纳米圆台阵列结构。实验结果表明,在归一化激发光功率后,p-Ga N层制备纳米圆台阵列的LED出光效率最高增加到参考样品的3.8倍。三维时域有限差分方法计算表明,周期性纳米结构破坏了p-Ga N表面的全反射,增大了LED结构的光输出临界角,从而提高LED的光致发光效率。此外,利用可变的纳米球掩模刻蚀技术,可以在同一个周期下优化纳米圆台的尺寸从而进一步提高LED的出光效率,这可以用等效折射率与薄膜透射率理论来解释,计算结果与实验结果比较一致。
【作者单位】： 广东技术师范学院电子与信息学院;广东技术师范学院机电学院;
【关键词】： 光学设计 发光二极管 纳米图形化 纳米球刻蚀 光致发光
【基金】：国家自然科学基金(11174061;11404067;11447181;61475038) 广东省自然科学基金(2015A030310213)
【分类号】：TN312.8
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本文编号：1037421