硅微通道列阵氧化形变实验研究

发布时间：2017-10-17 12:05

  本文关键词：硅微通道列阵氧化形变实验研究

  更多相关文章： 热氧化 热膨胀 热应力 击穿电压

【摘要】：在高温氧化工艺中硅片的翘曲和弯曲现象比较严重,对后续工艺造成很大困难,使器件成品率和性能受到很大的影响,造成该现象的主要原因是因为在二氧化过程中硅和二氧化硅热膨胀系数的差异,由于热膨胀系数随着温度而变化导致形变的产生。从晶体本身分析在热氧化过程中晶体本身产生大量空位在氧化过后温度极速下降导致空位无法扩散,形成空位团,当聚集到一定地步会造成塌崩,形成严重的缺陷导致受到热应力的不均匀,最后导致形变。通过测量硅微通道板不同位置的击穿电压分析导致击穿电压不均匀的原因。
【作者单位】： 长春理工大学;
【关键词】： 热氧化 热膨胀 热应力 击穿电压
【分类号】：TN405
【正文快照】： 引言硅基集成电路制造技术的基础之一是在硅片表面来热生长一层的能力。氧化物掩蔽技术是一种热生长的氧化层上通过刻印图形和刻蚀达到对硅衬底进行扩散掺杂的工艺技术,也是上个世纪50年代以来最主要的发展,这是大规模晶体管发展的关键因素[1-3]。从这层意义上讲,氧化在硅的平

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 赵普社;王因生;傅义珠;;对功率器件击穿电压的模拟优化[J];电子与封装;2007年10期

2 汪琏璋;电压的波形与试样的厚度对击穿电压强度的影响[J];电讯技术;1981年05期

3 张洪义;击穿电压蠕变机理和工艺探讨[J];半导体技术;1986年01期

4 高玉民;多场限环平面结击穿电压的解析计算[J];半导体技术;1991年06期

5 孙伟锋;王佳宁;易扬波;;单个浮置场限环终端结构击穿电压模型[J];微电子学;2009年06期

6 沙炳中;解决击穿电压蠕变的工艺改进[J];半导体技术;1983年04期

7 高玉民;二极管击穿电压的数值计算[J];半导体技术;1993年02期

8 R. K. Bhan ,胡永清;热生长二氧化硅击穿电压与1,1,1三氯乙烷克分子浓度的关系[J];微电子学;1990年04期

9 何进;圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布[J];半导体情报;2001年01期

10 刘国柱;;作者声明[J];电子与封装;2011年06期

中国重要会议论文全文数据库 前5条

1 孙伟锋;陈越政;钱钦松;;高压SOI-LIGBT特性研究[A];2010’全国半导体器件技术研讨会论文集[C];2010年

2 李兆林;陈松;冯春林;;电容器介质直流、交流击穿电压值的对比研究[A];2010输变电年会论文集[C];2010年

3 吴撼宇;丛培天;蒯斌;王亮平;郭宁;;脉冲电压下水介质同轴传输线水开关击穿电压研究[A];四川省电子学会高能电子学专业委员会第四届学术交流会论文集[C];2005年

4 张福平;贺红亮;杜金梅;王海晏;刘高e，

本文编号：1048725