几种典型宽禁带半导体材料的制备及发展现状

发布时间：2017-10-18 08:19

  本文关键词：几种典型宽禁带半导体材料的制备及发展现状

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【摘要】：阐述了SiC、GaN、AlN等几种宽禁带半导体材料的特性、突出优势及其重要应用;并对比分析了目前制备这些半导体材料的主流方法及其各自存在的利与弊;最后讨论了宽禁带半导体材料的发展现状及其存在的挑战。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第四十六研究所;
【关键词】： 碳化硅 氮化镓 宽禁带半导体 器件
【分类号】：TN304
【正文快照】： 随着半导体技术的不断发展,传统半导体材料如Si和G a A s受其自身固有性质的限制已经难以满足各器件领域进一步深入应用的需要。在电子材料向大尺寸、多功能化及集成化发展的大趋势下,第三代宽禁带半导体材料如Si C、G a N、A l N、金刚石、Z n Se等由于具有更高的击穿电场、

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本文编号：1053931