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MEMS悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法对比研究

发布时间:2017-10-18 13:30

  本文关键词:MEMS悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法对比研究


  更多相关文章: MEMS 硅玻键合 硅硅键合 深反应离子刻蚀 保护方法


【摘要】:分别对基于硅玻键合与硅硅键合的MEMS加工工艺中悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法进行对比研究,获得最佳结构刻蚀保护方法。基于硅玻键合工艺的最佳刻蚀保护方法:在结构层背面溅射金属作为保护层;基于硅硅键合工艺的最佳刻蚀保护方法:将结构刻通区域衬底硅暴露及结构层背面制作图形化的Si O2保护层相结合的方式保护。结构保护后,经长时间过刻蚀,结构依然完整无损。
【作者单位】: 华东光电集成器件研究所;
【关键词】MEMS 硅玻键合 硅硅键合 深反应离子刻蚀 保护方法
【分类号】:TN305.7
【正文快照】: 随着科学研究的不断发展及制造工具的不断进步,以尺寸小、功耗低、批量化生产为特征的微机电系统MEMS(Micro Electro-Mechanical Systems)已成为人们关注的焦点。MEMS器件在消费电子、汽车电子、航空航天、生物医学、信息技术等领域已有广泛应用,在世界范围内,其市场销售量呈

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本文编号:1055188

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