利用MIVM模型预测冶金级硅真空精炼过程杂质的挥发特性

发布时间：2017-10-22 11:07

  本文关键词：利用MIVM模型预测冶金级硅真空精炼过程杂质的挥发特性

  更多相关文章： 分子相互作用体积模型 冶金级硅 真空蒸馏 气液相平衡

【摘要】：运用分子相互作用体积模型预测了二元硅基熔体中Zn、Sb、Mg、Mn、Cu和Sn的活度系数.结合模型所得的对势能相互作用B参数和活度等热力学数据,计算了硅与各杂质元素形成的二元系蒸发系数和挥发速率,绘制出了硅基合金蒸馏过程中的气液相平衡图。研究结果表明,模型所预测的活度值与实验值吻合很好,真空精炼有利于Sb、Zn、Mg从硅熔体中分离,而Mn、Cu、Sn难以分离。硅中的各杂质的蒸发行为受其活度和温度的联合控制。本文通过对冶金硅中杂质挥发性质的研究,为真空提纯冶金级硅提供了可靠的理论依据。
【作者单位】： 昆明理工大学云南省有色金属真空冶金重点实验室;昆明理工大学云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心;昆明理工大学复杂有色金属资源清洁利用国家重点实验室;
【关键词】： 分子相互作用体积模型 冶金级硅 真空蒸馏 气液相平衡
【基金】：国家自然科学基金项目(21563017,51334002) 云南省自然科学基金项目(2016FA022)
【分类号】：TN304.12
【正文快照】： 太阳能多晶硅(SOG-Si)是太阳光电转化的关键材料,具有制备工艺相对成熟、生产成本低及电池产品稳定等优点[1]。目前,冶金法制备多晶硅由于其建设周期短、生产能耗低、污染低等众多优点受到普遍关注。冶金法是指采用湿法冶金、造渣精炼、合金法精炼、真空精炼、定向凝固等方法

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 罗大伟;刘宁;卢一平;张国良;李廷举;;应用电磁感应造渣法去除冶金级硅中杂质硼(英文)[J];Transactions of Nonferrous Metals Society of China;2011年05期

2 伍继君;马文会;杨斌;刘大春;戴永年;;冶金级硅氧气精炼过程杂质元素的热力学行为[J];北京工业大学学报;2013年10期

3 F.Dubrous;J.C.Anglezio;C.Servant;阎惠君;;冶金硅的结构与性能[J];铁合金;1991年06期

4 董伟;王强;彭旭;谭毅;姜大川;李国斌;;电子束熔炼冶金级硅除铝研究[J];材料研究学报;2010年06期

5 李R，

本文编号：1078072