压接式IGBT芯片的研制

发布时间：2017-10-23 10:47

本文关键词：压接式IGBT芯片的研制

【摘要】：基于现有工艺平台开发了一款具有自主知识产权的3 300V/50A非穿通型(NPT)压接式IGBT芯片。该芯片元胞采用平面型结构,元胞注入采用自对准工艺,背发射极采用透明集电极技术。为适用于压接封装,避免压力对MOS沟道的影响,在有源区淀积第二层厚金属铝,并在JFET区上方用场氧垫高。终端采用场环+多级场板复合结构,结合横向的场终止技术,实现高效率的终端结构设计。将此设计进行流片验证,测试结果显示击穿电压4 200V以上,饱和压降3.75V,阈值电压7.1V,实测值和仿真值相差不大。将压接式芯片封装成3 300V/600A压接式模块,饱和压降较芯片级偏小0.05V。
【作者单位】：国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所;
【关键词】： 绝缘栅双极晶体管 元胞终端 压接封装
【基金】：国家电网公司科技项目《2500V/600A压接式IGBT模块关键技术研究》(SGRI-WD-71-13-006)
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： 引言IGBT在电网系统尤其是智能电网中应用越来越广泛,例如光伏逆变器、充电桩逆变器、FACTS装置、柔性直流换流阀以及电能质量治理装置等。压接式IGBT因其独特的结构形式及失效机理,被更多地应用于柔性直流输电及无功补偿设备领域。压接式IGBT相比传统模块式IGBT的优势在于取

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