基于KH550-GO固态电解质中电容耦合作用的双侧栅IZO薄膜晶体管

发布时间：2017-10-23 12:35

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【摘要】：本文利用旋涂技术在氧化铟锡塑料衬底上,制备了硅烷偶联剂(γ-氨丙基三乙氧基硅烷)-氧化石墨烯固态电解质;以此固态电解质作为栅介质,进一步研究了双侧栅耦合电场质子/电子杂化氧化铟锌薄膜晶体管的电学特性.研究发现γ-氨丙基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯固态电解质的双电层电容和质子电导率分别高达2.03μF/cm~2和6.99×10~(-3)S/cm;由于γ-氨丙基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯复合固态电解质具有较大的双电层电容和质子电导率,利用其作为栅介质的质子/电子杂化氧化铟锌薄膜晶体管功耗低(其工作电压仅为约2 V),其开关比和场效应迁移率分别为1.23×10~7和24.72 cm~2/(V·s).由于γ-氨丙基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯固态电解质的电容耦合作用,氧化铟锌薄膜晶体管在双侧栅电压刺激下,可有效地调控器件的阈值电压、亚阈值摆幅和场效应迁移率,并可实现"与"门逻辑运算功能.
【作者单位】： 江苏大学微纳米科学技术研究中心;常州大学江苏省光伏科学与工程协同创新中心;
【关键词】： KH-GO复合固态电解质 双电层效应 质子导体膜 电容耦合
【基金】：国家自然科学基金(批准号:51402321) 江苏省光伏科学与技术国家重点实验室培育建设点开放课题基金(批准号:SKLPSTKF201503) 江苏省博士后科研资助计划(批准号:1402071B) 江苏大学高级人才基金(批准号:14JDG049)资助的课题~~
【分类号】：TN321.5
【正文快照】： 1引言 低压双电层氧化物薄膜晶体管在多态存储器、探测器、电化学传感器、生物神经突触仿真等微器件领域具有极大的应用前景和科学研究价值[1-5].此外,低压双电层氧化物薄膜晶体管因具有高的迁移率、高的可见光透射率和可低温制备等特点,受到研究人员的极大关注[6,7].目前对

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