砷化镓材料发展状况概述
发布时间:2017-10-23 21:39
本文关键词:砷化镓材料发展状况概述
【摘要】:砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。与硅单晶一样,砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精度、高表面质量方向发展。目前,日本住友电工、美国AXT代表着国际领先水平;中科晶电、晶明公司代表着国内的先进水平。未来几年,是国内企业研发6英寸产品,向国际水平冲击的重要时期。
【作者单位】: 中国电子科技集团公司第四十六研究所;
【关键词】: 砷化镓 半导体发光二极管 衬底材料
【基金】:天津市科技计划项目支持(15ZLZLZF00200)
【分类号】:TN304.23
【正文快照】: 砷化镓(Ga As)是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一,广泛应用于光电子和微电子领域。Ga As材料主要分为两类:半绝缘砷化镓材料和半导体砷化镓材料。半绝缘砷化镓材料主要制作MESFET、HEMT和HBT结构的集成电路。主要用于雷达、微波及毫米波通信、超高速计算机及光纤通
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前7条
1 张克华;文东辉;袁巨龙;;高亮度LED衬底材料研究[J];功能材料;2009年05期
2 高慧莹;;国内LED衬底材料的应用现状及发展趋势[J];电子工业专用设备;2011年07期
3 徐军,周圣明,杨卫桥,夏长泰,彭观良,蒋成勇,周国清,邓佩珍;InN和GaN系衬底材料的研究和发展[J];中国有色金属学报;2004年S1期
4 郑湃;吴丰顺;刘辉;周龙早;吴懿平;;柔性MEMS衬底材料及其在传感器上的应用[J];微纳电子技术;2009年10期
5 刘红超;;LED产业技术及研究进展[J];上海第二工业大学学报;2011年02期
6 李小芘;;柔性OLED[J];记录媒体技术;2009年01期
7 ;[J];;年期
中国重要报纸全文数据库 前1条
1 李治邦;中镓半导体:打造LED高端领域领军企业[N];中国高新技术产业导报;2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 董进宇;衬底材料与P~+保护环对SBD ESD性能影响的研究[D];哈尔滨理工大学;2014年
,本文编号:1085527
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1085527.html