2～8GHz宽带GaN功率放大器MMIC

发布时间：2017-10-23 23:35

  本文关键词：2～8GHz宽带GaN功率放大器MMIC

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【摘要】：基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的2~8 GHz宽带功率放大器MMIC(单片微波集成电路)。MMIC所用Ga N HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络,扩展了放大器的带宽,减小了电路的损耗。测试结果表明,在2~8 GHz测试频带内,在脉冲偏压28 V(脉宽1 ms,占空比30%)时,峰值输出功率大于30 W,功率附加效率大于25%,小信号增益大于24 d B,输入电压驻波比在2.8以下,在6 GHz处的峰值输出功率达到50 W,功率附加效率达到40%;在稳态偏压28 V时,连续波饱和输出功率大于20 W,功率附加效率大于20%。尺寸为4.0 mm×5.0 mm。
【作者单位】： 专用集成电路国家重点实验室;中国电子科技集团公司第十三研究所;
【关键词】： 氮化镓 功率放大器 ~ GHz 单片微波集成电路 宽带 两级拓扑
【分类号】：TN722.75
【正文快照】： 宽带功率放大器MMIC在现代雷达和通信系统中有广泛的应用,国内外有多款砷化镓(Ga As)基宽带功率放大器MMIC的成熟产品,饱和输出功率在10 W左右。M/A-COM公司的MAAPGM0078-DIE,采用Ga As MSAGTM(Ga As MultifunctionSelf-Aligned Gate)工艺制作,在2~6 GHz工作频率内,饱和输出功

【参考文献】

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【共引文献】

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【相似文献】

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本文编号：1085980