沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺

发布时间：2017-10-27 06:31

  本文关键词：沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺

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【摘要】：深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线圈功率、SF6/O2比例以及下电极功率等参数对沟槽深度均匀性和垂直度的影响。得到了使Si深槽形貌为槽口宽度略大于槽底,侧壁光滑,且沟槽深度均匀性为2.3%左右的工艺条件。利用该刻蚀工艺可实现沟槽多晶Si无缝回填。该工艺条件成功应用于沟槽肖特基器件制作中,反向击穿电压达到58 V,反向电压通48 V,漏电流为11.2μA,良率达到97.55%。
【作者单位】： 杭州士兰集成电路有限公司;
【关键词】： 沟槽肖特基器件 Si深槽刻蚀 常温刻蚀 无缝回填 SF/O比例
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 0引言沟槽肖特基产品[1](TMBS)一般在Si n型衬底上生长所需厚度的外延层,再刻蚀沟槽,接着在沟槽侧壁生长栅氧化层形成绝缘层,最后在沟槽中利用多晶Si回填工艺形成沟槽MOS结构,沟槽MOS结构围绕在肖特基势垒结周围。TMBS制造过程中沟槽刻蚀是关键工艺,直接影响后续多晶硅回填工

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本文编号：1102343