场截止沟道IGBT裂片的失效机理及改进方案

发布时间：2017-10-30 21:28

  本文关键词：场截止沟道IGBT裂片的失效机理及改进方案

  更多相关文章： 场截止沟道IGBT 裂片 UV膜 实验设计 薄芯片机构

【摘要】：半导体的发明是人类在二十世纪最伟大的创举,它不仅提高了生产效率和劳动效率,而且它悄无声息地改变着人类的生活方式和生产,推动着产业的革新。飞兆半导体场截止沟道IGBT是随着IGBT技术的发展和对IGBT更高的运用需求上应运而生,场截止沟道IGBT是公司第三代IGBT,其厚度为73μm,因此在芯片的贴装的时候对其裂片的控制要比其他的芯片要严格的多。本论文首先对场截止沟道IGBT,UV膜进行介绍,然后通过封装工艺制程中的紫外光照射,顶针等方面分析,找出芯片裂片的根本原因,并通过对异种芯片种类的硬度、UV膜照射和顶针设置的实验设计(Design of Experiments),发现问题并提出解决方案,最后通过对各实验设计解决方案的综合分析,提出通过延长紫外光照射时间和使用薄芯片机构方案的方案降低这种芯片0.8%左右的裂片率。本论文的意义在于在不改变现有设备的条件下,通过紫外线照射时长的延长和引入全新的薄芯片机构使贴片工艺更加完善和可靠。
【关键词】：场截止沟道IGBT 裂片 UV膜 实验设计 薄芯片机构
【学位授予单位】：苏州大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2016
【分类号】：TN322.8
【目录】：

• 中文摘要4-5
• Abstract5-8
• 第一章 绪论8-13
• 1.1 课题概述8-9
• 1.1.1 课题来源8-9
• 1.2 基本概念9-10
• 1.2.1 贴片工艺9
• 1.2.2 裂片的概述及裂片机理9-10
• 1.3 实验设计10
• 1.4 研究的方向和流程10-11
• 1.5 本课题主要工作11-13
• 1.5.1 主要研究工作及思路11
• 1.5.2 本文的组织架构及创新点11-13
• 第二章 场截止沟道IGBT、UV膜和顶针机构的介绍13-17
• 2.1 场截止沟道IGBT13-14
• 2.2 UV膜的构造14-15
• 2.3 顶针机构的介绍15-17
• 第三章 对于异种芯片的实验设计17-25
• 3.1 引言17
• 3.2 异种芯片实验设计方案17-20
• 3.2.1 抗断强度理论17-20
• 3.3 实验结果及分析20-24
• 3.4 实验设计结论24-25
• 第四章 对于UV膜参数优化的实验设计25-36
• 4.1 引言25
• 4.2 UV膜的实验设计方案25-29
• 4.2.1 紫外光照射时间的实验设计25-29
• 4.3 紫外光照射时间的实验设计裂片组现象机理分析29-35
• 4.4 UV膜实验设计结论35-36
• 第五章 对于贴片顶针的实验设计36-46
• 5.1 引言36
• 5.2 顶针的实验设计方案36-40
• 5.2.1 顶针机构的实验设计36-39
• 5.2.2 拾取头的分析39-40
• 5.3 顶针实验设计的结论40-46
• 第六章 实验设计的总结46-48
• 6.1 引言46
• 6.2 实验设计总结46
• 6.3 解决方案的可靠性确认46-47
• 6.4 展望47-48
• 参考文献48-49
• 致谢49

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前2条

1 孔祥梅;刘蓉;汪臣;;利用Red-X工具分析杂物箱的质量问题[J];企业科技与发展;2015年09期

2 杨跃胜;武岳山;;芯片产业化过程中所使用UV膜与蓝膜特性分析[J];现代电子技术;2013年04期

中国博士学位论文全文数据库 前2条

1 刘尊旭;超薄芯片无损剥离的机理研究与工艺优化[D];华中科技大学;2015年

2 彭波;IC薄芯片拾取建模与控制研究[D];华中科技大学;2012年

，

本文编号：1119425