铁在冶金级硅低速定向凝固过程中的再分布（英文）

发布时间：2017-10-31 00:24

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【摘要】：研究冶金级硅低速定向凝固过程中杂质铁的再分布。采用ICP-MS检测铁的浓度,绘制铁在固相、液相、晶界和晶体生长方向上的浓度示意图。铁浓度在固、液相中具有明显差异。依据质量守恒定理,计算得出溶质边界层约为4 mm,铁的有效分凝系数约为2.98×10~(-4)。在低速凝固条件下,铁容易偏析聚集在晶界。在生长方向上,由于低速凝固,铁浓度在硅锭86%高度以下几乎恒定,不完全符合Scheil方程规律。讨论了对流对铁再分布的影响,对流"死区"对铁再分布具有重要影响。
【作者单位】： 厦门大学材料系福建省特种先进材料重点实验室;大连理工大学材料科学与工程学院;青岛隆盛晶硅科技有限公司;
【关键词】： 定向凝固 冶金级硅 再分布 铁 晶界
【基金】：Projects(51334004,51204143)supported by the National Natural Science Foundation of China Project(2006L2003)supported by the Scientific Technological Innovation Platform of Fujian Province,China
【分类号】：TN304.12
【正文快照】： 1 IntroductionIn order to meet the remarkable development ofphotovoltaic industry,cost-effective ways to manufacturemulti-crystalline silicon must be applied.Because of thehigh purification requirement of solar cells,siliconrefining is meaningful and imp

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本文编号：1120006