一种简化衬底模型的SOI MOS变容管模型

发布时间：2017-10-31 08:12

  本文关键词：一种简化衬底模型的SOI MOS变容管模型

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【摘要】：提出一种适用于反型层RF SOI MOS变容管行为表征模型。在BSIMSOI的基础上,模型采用简化的衬底模型和外围射频寄生模型来表征变容管的射频寄生效应,同时采用T、π互转的方式提出参数提取算法。模型最终应用到华虹宏力SOI工艺提供的不同栅指,每栅指长度为1.6μm、宽度为5μm的MOS变容管器件,并且在15 GHz以下,模型与测量数据的CV、QV以及S参数有较好的拟合。在高频情况下,模型既保证了精度又解决了参数提取困难等问题。
【作者单位】： 杭州电子科技大学CAD研究所;
【关键词】： SOI MOS变容管 简化衬底模型 数据拟合 参数提取算法
【基金】：国家自然科学基金项目(61372021)
【分类号】：TN386.1
【正文快照】： 随着4G时代的到来,VCO电路的性能在通信系统中起着至关重要的作用,尤其是在频率捷变雷达、扫频干扰、精确测速、测距等设备中[1]。由于变容管器件的CV和QV特性对VCO电路有重要的影响,因此国内外对变容管的要求越来越高,尤其是在当今RF应用频率持续提高的条件下。近年来,国内外

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本文编号：1121510