2017年射频GaN市场打响未来器件之战哪项技术会出局

发布时间：2017-11-01 05:21

  本文关键词：2017年射频GaN市场打响未来器件之战哪项技术会出局

  更多相关文章： GaN 横向扩散 工业市场 氮化镓 基础设施 军事应用 可靠性测试 制造厂商 可靠性标准 高功率放大器

【摘要】：正未来器件的战争将会在GaN/SiC或者是GaN/Si之间打响。今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃,GaN逐渐成为主流,开始渗透一些批量需求的商业市场。GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟,并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分市场。虽然LDMOS(横向扩散MOS晶体管)目前仍占据基础设施和工业市场的绝大部分份额,但这种情况可能很快就会改变,因为GaN性能与LDMOS基本相当甚至更胜一筹。也许LDMOS现在的唯一优势
【关键词】： GaN;横向扩散;工业市场;氮化镓;基础设施;军事应用;可靠性测试;制造厂商;可靠性标准;高功率放大器;
【分类号】：TN303
【正文快照】： 未来器件的战争将会在GaN/SiC或者是GaN/Si之间打响。今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃,GaN逐渐成为主流,开始渗透一些批量需求的商业市场。GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟,并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分市场。虽然LDMOS(横向扩散MOS晶体管)目前仍

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