紫外有机发光器件的激子形成区域优化与掺杂调控

发布时间：2017-11-02 05:29

  本文关键词：紫外有机发光器件的激子形成区域优化与掺杂调控

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【摘要】：采用空穴传输兼发光层CBP和电子传输兼发光层TAZ构建了紫外有机电致发光器件(UVOLED),通过调控功能层厚度可以优化激子形成区域,进而改善器件性能。实验结果表明:CBP厚度的变化对器件性能影响甚微,而TAZ厚度变化则有显著影响。当CBP和TAZ厚度分别为50 nm和30 nm时,获得了最大辐照度为4.4 m W/cm2@270 m A/cm2、外量子效率(EQE)为0.94%@12.5 m A/cm2,发光来自于CBP主发光峰~410nm以及TAZ肩峰~380 nm的UVOLED器件。在此基础上,通过在CBP/TAZ界面引入超薄[CBP∶TAZ]掺杂层可以加速激子复合,降低器件驱动电压,同时还有利于改善载流子平衡性,提高发光效率(最大EQE达到了0.97%@20 m A/cm2)而不影响光谱特性。
【作者单位】： 桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室;广西信息科学实验中心;电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室;上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室;
【关键词】： 紫外有机电致发光器件 载流子调控 激子 掺杂
【基金】：国家自然科学基金(61275041;61565003) 广西教育厅重点项目(KY2015ZD046) 中山市科技计划(2014A2FC305;2014A2FC306)资助项目
【分类号】：TN383.1
【正文快照】： 4.上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海200072)1引言紫外有机发光器件(UVOLED)融合了机械柔性和大面积、低成本制造特点,在高密度信息存储和激发光源等领域展现出独特的应用前景,成为当前有机发光的新型研究方向之一。在现有为数不多的UVOLED报道中,重点围绕

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本文编号：1130211