GaN基白光LED电极的失效机制

发布时间：2017-11-02 07:11

  本文关键词：GaN基白光LED电极的失效机制

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【摘要】：对负电极脱落造成白光LED失效进行了研究。结合扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)对退化样品芯片进行了表面形貌表征和微区成分分析。SEM观察到退化样品负极脱落处表面粗糙不平,且透明导电薄膜存在颗粒状结晶。经EDS检测发现负极脱落处存在腐蚀性氯元素,并在封装胶中检测出氯。分析认为,封装胶中残留的氯离子与负极中Al层发生的电化学腐蚀是致使样品失效的主要原因。
【作者单位】： 华南理工大学高分子光电材料与器件研究所;华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室;广东金鉴检测科技有限公司;
【关键词】： LED 失效分析 电极 腐蚀
【基金】：国家文化科技提升计划(GJWHKJTSXM20154464) 广东省科技计划(2013B090600048,2015B010134001,2015B010127004,2015YT02C093,201604010006)资助项目
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 1引言目前以Ga N基为代表的Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体广泛应用于蓝光和白光发光二极管(LED)。Ga N基LED由于其能耗小、寿命长、光谱范围宽、绿色环保等优点,在照明显示等领域具有相当诱人的前景[1],与此同时LED的可靠性也成为研究的热点[2]。近年来,随着材料、散热及封装技术的进步

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本文编号：1130498