氧化剂浓度对4H-SiC化学机械抛光效果的影响

发布时间：2017-11-07 09:23

  本文关键词：氧化剂浓度对4H-SiC化学机械抛光效果的影响

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【摘要】：以4H-SiC(0001)面为研究对象,采用原子力显微镜和X光电子能谱研究了抛光晶片表面的形貌和成分,讨论了氧化剂浓度对SiC化学机械抛光去除速率以及微观形貌的影响。结果表明,在化学机械抛光过程中SiC晶片的表面会生成二氧化硅,抛光液中氧化剂的浓度直接影响SiC的氧化进程,增大氧化剂的浓度可以显著提高抛光去除速率,当氧化剂浓度为0.15mol/L时,抛光去除速率可以达到约1 200nm/h,同时可以获得一个无划痕、超光滑、具有原子台阶构型的抛光表面,表面粗糙度值Ra低至0.0853nm。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第四十六研究所;
【分类号】：TN305.2
【正文快照】： 0引言单晶碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,具有一些优越的性能,如高电子饱和迁移率和优良的热学特性,在制造耐高温、抗辐射的高频大功率器件方面具有广阔的应用前景,已成为国际关注的焦点。在下一代功率器件的制造和外延生长中,对SiC单晶材料最终的表面质量有严格的要

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本文编号：1151807