Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的研究进展

发布时间：2017-11-08 02:29

  本文关键词：Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的研究进展

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【摘要】：从器件结构和电学特性等方面,对具有垂直结构和水平结构的Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的最新研究进展进行了综述。对于垂直器件,虽然高质量的垂直Ⅲ-Ⅴ族纳米线易于获得,但栅极的逻辑布线难以实现;对于水平结构器件,虽然栅极的逻辑布线与当前的平面硅差异不大,但无催化剂条件下难以选区定位生长水平Ⅲ-Ⅴ族纳米线。硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管不仅能有效提高沟道迁移率等性能,而且可以保证与硅工艺的兼容性,同时降低Ⅲ-Ⅴ族材料晶体管高昂的成本。研究表明,水平结构的硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管将具有更大的发展潜力。
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61376096)
【分类号】：TN32
【正文快照】： 0引言传统晶体管的特征尺寸依照摩尔定律持续减小,与之相应的是晶体管的性能和集成度稳步提升,并不断推动着微电子产业发展。然而,传统的硅晶体管随着技术节点的迭代缩减,特别是特征尺寸突破10 nm以下时,短沟道效应(short channeleffect,SCE)和漏致势垒降低(drain inducedbarr，

本文编号：1155224