氢钝化对Ⅲ-Ⅴ族氮化物量子点电子结构的影响

发布时间：2017-11-08 09:24

  本文关键词：氢钝化对Ⅲ-Ⅴ族氮化物量子点电子结构的影响

  更多相关文章： 第一性原理 半导体纳米结构 带隙 赝氢 量子点

【摘要】：在半导体纳米结构和薄膜表面的理论研究中,赝氢经常被用来钝化表面的悬挂键.众所周知,由于量子限制效应,半导体纳米结构有着比体材料更大的带隙.本文基于密度泛函理论,研究了氢钝化对氮化物量子点电子结构的影响,并详细比较了真氢钝化和赝氢钝化的区别.我们构建了氢钝化的AlN,GaN,InN闪锌矿和纤锌矿两种结构的量子点模型,基于密度泛函理论的广义梯度近似方法,计算了体材料、裸量子点、真氢及赝氢钝化量子点的带隙.经过比较和分析所得结果发现,与体材料相比,赝氢钝化增大了量子点的带隙,但真氢钝化有所不同：对于宽带隙材料,量子点带隙反而可能会变窄.另外,我们发现,随着Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体共价性的增加,真氢和赝氢钝化的量子点带隙之间的差异会变小.这一结果大大增加了纳米半导体性质的可调性.
【学位授予单位】：内蒙古大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2016
【分类号】：O471.1

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本文编号：1156556