SiGe-OI微环谐振器的滤波特性分析

发布时间：2017-11-11 16:07

  本文关键词：SiGe-OI微环谐振器的滤波特性分析

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【摘要】：SiGe-OI微环谐振器是一种新型半导体材料的谐振器。本文根据传输矩阵法得到微环谐振器的传递函数,研究了上下载滤波器和上、下载端口的性能,分析了SiGe-OI微环谐振器的滤波特性,以及耦合特性对滤波特性的影响。通过模拟软件建立SiGe-OI微环谐振器模型,主要对其结构参数、耦合系数、3dB带宽和消光比等参数进行了分析,仿真了波导宽度、耦合间距、波长与耦合系数的关系,以及耦合系数对3dB带宽和消光比的影响。最终给出了耦合系数的范围以及不同耦合系数下的滤波特性,为SiGe-OI微环谐振器的研究提供了理论参考。
【作者单位】： 西安工程大学理学院;西安理工大学自动化与信息工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61204080) 陕西省教育厅科研计划资助项目(15JK1292) 西安工程大学博士科研启动基金资助项目(BS1128,BS1436);西安工程大学研究生教育“质量工程”资助项目(15yzl10) 陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目((2008)169)
【分类号】：TN629.1
【正文快照】： SiGe-OI(Silicon Germanium on Insulator)材料是近几年兴起的一种新型半导体材料,它是在绝缘层的衬底上,通过分子束外延等方式制作出的一种类似SOI(Silicon on Insulator)的新材料,具有折射率高、禁带宽度小、传输损耗小、对光波限制能力强、便于光电集成等优点,因此SiGe-OI

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本文编号：1172098