新一代功率芯片耐高温封装连接国内外发展评述

发布时间：2017-11-11 19:00

  本文关键词：新一代功率芯片耐高温封装连接国内外发展评述

  更多相关文章： 功率芯片 耐高温封装 连接 瞬时液相烧结

【摘要】：新一代半导体高温功率芯片可在500℃左右甚至更高的温度下服役,耐高温封装已成为其高温应用的主要障碍.针对当前高温功率芯片耐高温封装连接问题,从芯片耐高温封装连接的结构及要求、芯片的耐高温封装连接方法(包括高温无铅钎料封装连接、银低温烧结连接、固液互扩散连接和瞬时液相烧结连接)及存在的问题等方面对国内外研究现状、动态进行了分析和评述,并提出了今后高温功率芯片耐高温封装连接的研究重点和发展方向.
【作者单位】： 北京科技大学材料科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51474026)
【分类号】：TN405
【正文快照】： 0序言发展应用于高温、高功率、高频等极端环境中的电子器件是当前电力电子技术领域发展的重点方向.Si C,Ga N和Al N等是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(Ga As,Ga P,In P)之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料.第一、二代传统半导体集成电路与器件无法

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 张颖川;闫剑锋;邹贵生;白海林;刘磊;闫久春;ZHOU Yunhong;;纳米银与纳米铜混合焊膏用于电子封装低温烧结连接[J];焊接学报;2013年08期

【共引文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 崔西会;孙毅;陆君;;纳米银浆在微系统集成技术方面的应用[J];中国电子科学研究院学报;2015年01期

【二级参考文献】

中国期刊全文数据库 前2条

1 闫剑锋;邹贵生;李健;吴爱萍;;纳米银焊膏的烧结性能及其用于铜连接的研究[J];材料工程;2010年10期

2 邹贵生;闫剑锋;母凤文;吴爱萍;Zhou Y.Norman;;微连接和纳连接的研究新进展[J];焊接学报;2011年04期

，

本文编号：1172660