半导体所研制出GaN基紫外激光器

发布时间：2017-11-11 20:51

  本文关键词：半导体所研制出GaN基紫外激光器

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【摘要】：正2016年12月14日,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出GaN基紫外激光器。GaN被称为第三代半导体,在光电子学和微电子学领域有广泛的应用,其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值,也是国际上的研究热点。GaN基紫外激光器技术
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所;
【分类号】：TN248
【正文快照】： 2016年12月14日,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出Ga N基紫外激光器。Ga N被称为第三代半导体,在光电子学和微电子学领域有广泛的应用,其中Ga N基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值,也是国际上的研究热点。Ga N基

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本文编号：1172774