强流多注电子束高效率引入的模拟研究

发布时间：2017-11-12 08:21

  本文关键词：强流多注电子束高效率引入的模拟研究

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【摘要】：强流相对论多注速调管相对于单注速调管具有导流系数低,输出功率高和效率高的优点,并且可以明显降低引导磁场强度,因此得到快速发展。但是其多注电子束引入漂移管效率低的问题,影响了多注速调管的整管效率,限制了其稳定高效运行和应用推广。论文采用粒子仿真软件CHIPIC对多注速调管二极管爆炸发射过程进行仿真研究,寻找影响多注速调管引入效率的主要因素,并对阴极结构进行了优化,设计出三种两段式新型多注阴极结构并进行冷阴极爆炸发射模拟研究。研究结果表明:给定参数下,常规结构由于底座边缘的不必要的环形电子束发射,只能达到82%的引入效率,而三种新型阴极结构通过抑制不必要电子发射,引入效率都可以提高至95%以上,最高达到99%。
【作者单位】： 中国工程物理研究院研究生院;中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金项目(11475158) 中国工程物理研究院发展基金项目(2014B0402068)
【分类号】：TN122
【正文快照】： 2.中国工程物理研究院应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川绵阳621900)速调管放大器在雷达、通信系统、直线加速器等领域有非常广泛的发展和应用[1-2],应用需求的发展要求进一步提高速调管放大器的功率[3]。对单注速调管,要进一步提高输出功率,只能增加电子束的电

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本文编号：1175097