一种L频段高线性度低噪声放大器的设计

发布时间：2017-11-13 00:29

  本文关键词：一种L频段高线性度低噪声放大器的设计

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【摘要】：对低噪声放大器线性度提高的方法进行分析。基于导数交叠法,使两个晶体管偏置在不同区域,并利用这两个晶体管源端产生的相位差,抵消了3阶项电流。采用TSMC 90nm CMOS工艺,实现了一款L频段高线性度全差分低噪声放大器,测试得到输出3阶交调点达30.6dBm,增益为14.54dB,噪声系数为1.63dB,功耗为45mA@3.3V。
【作者单位】： 北京理工大学微电子技术研究所;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61201040,61301006) 高等学校学科创新“引智计划”资助项目(B14010)
【分类号】：TN722.3
【正文快照】： 1引言随着高新技术的飞速发展,射频无线通信技术被广泛应用于诸多领域,如蜂窝(移动)电话、全球卫星定位系统(GPS)、无线局域网(WLAN)和个人通信服务(PCS)等[1,2]。低噪声放大器位于射频接收系统的最前端,这要求它具有良好的噪声系数和适当的增益,以便后级电路处理信号。此外,

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本文编号：1178332